基本情報

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小豆畑 敬

AZUHATA TAKASHI


職名

准教授

メールアドレス

メールアドレス

研究室電話

0172-39-3623

研究室FAX

0172-39-3623

取得学位 【 表示 / 非表示

  • 博士(工学)早稲田大学

所属学会・委員会 【 表示 / 非表示

  • 日本物理学会

  • 応用物理学会

自己PR 【 表示 / 非表示

  • (連携キーワード)

    半導体、発光ダイオード、光学特性

    (研究概要)

    ○光を用いて半導体の性質を調べています。
    ○窒化ガリウム系半導体の光デバイスの研究を行っています。

    (協力できる内容)

    半導体の光学特性について

    (PR)

    半導体の光学特性の研究と、それを応用したデバイスの研究を行っております。

 

論文 【 表示 / 非表示

  • 英語,InGaN-based single-chip multicolor light-emitting diodes(共著),Jpn. J. Appl. Phys.,42巻 5B号 (頁 L497 ~ L498) ,2003年05月,T. Azuhata, T. Homma, Y. Ishikawa, SF. Chichibu

    研究論文(学術雑誌),共著

  • 英語,Brillouin scattering study of ZnO(共著),J. Appl. Phys.,94巻 2号 (頁 968 ~ 972) ,2003年07月,T. Azuhata, M. Takesada, T. Yagi, A. Shikanai, SF. Chichibu, K. Torii, A. Nakamura, T. Sota, G. Cantwell, D.B. Eason, C.W. Litton

    研究論文(学術雑誌),共著

  • 英語,Influence of internal electric field on the recombination dynamics of localized excitons in an InGaN double-quantum-well laser diode wafer operated at 450 nm(共著),Jpn. J. Appl. Phys.,42巻 12号 (頁 7276 ~ 7283) ,2003年12月,T. Onuma, SF. Chichibu, T. Aoyama, K. Nakajima, P. Ahmet, T. Chikyow, T. Azuhata, T. Sota, S. Nagahama, T. Mukai

    研究論文(学術雑誌),共著

  • 英語,Local structure around In atoms in InxGa1-xN multi-quantum-wells studied by EXAFS(共著),AIP Conf. Proc.,882巻 (頁 499 ~ 501) ,2007年02月,S. Sasaki, T. Miyanaga, T. Azuhata, T. Uruga, H. Tanida, S.F. Chichibu, T. Sota

    研究論文(国際会議プロシーディングス),共著

  • 英語,Atomic distribution in InxGa1-xN single quantum wells studied by extended x-ray absorption fine structure(共著),Phys. Rev. B,76巻 (頁 035314-1 ~ 035614-5) ,2007年07月,T. Miyanaga, T. Azuhata, S. Matsuda, Y. Ishikawa, S. Sasaki, T. Uruga, H. Tanida, S.F. Chichibu, T. Sota

    研究論文(学術雑誌),共著

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著書 【 表示 / 非表示

  • 英語,Low-Dimensional and Nanostructured Materials and Devices,Springer International Publishing,2016年,Takafumi Miyanaga, Takashi Azuhata

    単行本(学術書),Recent Progress in XAFS Study for Semiconducting Thin Films,共著

解説・総説記事・翻訳等 【 表示 / 非表示

  • 日本語,InGaN系単一チップマルチカラーLED,テクノタイムズ社,月刊ディスプレイ,2004年1月号 (頁 28 ~ 31) ,2004年01月,小豆畑敬

    総説・解説(商業誌),単著

  • 中国語,InGaN単晶片全彩LED,Chinese Information社,光電科技,2004年12月号 (頁 49 ~ 52) ,2004年12月,小豆畑敬

    総説・解説(商業誌),単著

  • 日本語,LEDマルチカラー化の工夫,情報機構,LED最新技術動向~性能向上・課題解決集~, (頁 27 ~ 38) ,2005年03月,小豆畑敬

    総説・解説(商業誌),単著

  • 日本語,放射光を用いた偏光XAFS法によるLED材料の局所構造解析,アグネ技術センター,金属,86巻 8号 (頁 40 ~ 44) ,2016年08月,宮永崇史、小豆畑敬

    総説・解説(商業誌),共著

学術関係受賞 【 表示 / 非表示

  • 第3回インテリジェント・コスモス奨励賞,2004年05月

 

担当授業科目 【 表示 / 非表示

  • 2016年度,先端物理科学Ⅰ,専門教育科目(学部)

  • 2016年度,先端物理科学Ⅱ,専門教育科目(学部)

  • 2016年度,半導体物理学,専門教育科目(学部)

  • 2016年度,卒業研究,専門教育科目(学部)

  • 2016年度,履修相談,専門教育科目(学部)

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学外の社会活動(高大・地域連携等) 【 表示 / 非表示

  • 第12回XAFS討論会実行委員,2008年01月 ~ 2009年09月

  • オープンキャンパス,2008年08月

  • オープンキャンパス,2009年08月

  • 理工学部サイエンス・テクノフェア,2009年08月

  • 楽しい科学・サイエンスへの招待,2009年10月

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