基本情報

写真a

遠田 義晴

ENTA YOSHIHARU


職名

准教授

ホームページ

http://www.st.hirosaki-u.ac.jp/~enta

取得学位 【 表示 / 非表示

  • 理学修士

  • 理学博士

所属学会・委員会 【 表示 / 非表示

  • 日本物理学会

  • 日本放射光学会

  • 応用物理学会

自己PR 【 表示 / 非表示

  • (連携キーワード)

    半導体,電子材料,LSI,固体表面,光電子分光,表面反応,放射光

    (研究概要)

    半導体表面工学
    ○半導体電子デバイスの製造プロセスに係わる表面化学反応を、光電子分光法等を用いて原子レベルで探究
    ○固体表面に特有な超格子構造を利用した電子デバイスの創製とその電子状態の研究

    (協力できる内容)

    ・ 新しい電子材料の創製や物質的評価
    ・ 真空技術
    ・ 放射光の原理と利用方法

 

論文 【 表示 / 非表示

  • 英語,Structure, Chemical Bonding and These Thermal Stabilities of Diamond-Like Carbon (DLC) Films by RF Magnetron Sputtering(共著),Japanese Journal of Applied Physics,42巻 (頁 L676 ~ L679) ,2003年06月,H. Nakazawa, T. Mikami, Y. Enta, M. Suemitsu, M. Mashita

    研究論文(学術雑誌),共著

  • 日本語,高周波マグネトロンスパッタリング法により作製したダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜の構造と熱的安定性(共著),表面科学,24巻 (頁 411 ~ 416) ,2003年07月,三上尊正,中澤日出樹,遠田義晴,末光眞希,真下正夫

    研究論文(学術雑誌),共著

  • 日本語,Si初期酸窒化のリアルタイム光電子分光,ナノテクノロジーと高分解能電子分光PF研究会プロシーディング,2003年12月,遠田義晴

    研究論文(その他学術会議資料等),単著

  • 日本語,N2Oガス気相熱励起法によるシリコン酸窒化膜の形成(共著),電子情報通信学会論文誌,J87-C巻 (頁 590 ~ 591) ,2004年07月,遠田義晴,武田創太郎

    研究論文(学術雑誌),共著

  • 英語,Si 2p core-level spectra for oxynitride on Si(100) with plasma-excited N2O(共著),Photon Factory Activity Report,22巻 B号 (頁 79) ,2005年11月,Y. Enta, K. Suto, H. Kato, Y. Sakisaka

    研究論文(その他学術会議資料等),共著

全件表示 >>

 

担当授業科目 【 表示 / 非表示

  • 2016年度,物理学の基礎Ⅰ(B),21世紀教育科目

  • 2016年度,先端物理科学Ⅰ,専門教育科目(学部)

  • 2016年度,先端物理科学Ⅱ,専門教育科目(学部)

  • 2016年度,卒業研究,専門教育科目(学部)

  • 2016年度,固体物理学,専門教育科目(学部)

全件表示 >>

 

学外の社会活動(高大・地域連携等) 【 表示 / 非表示

  • 通研共同プロジェクト研究会,2008年02月

  • 通研共同プロジェクト研究会,2008年04月 ~ 2009年03月