基本情報

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中澤 日出樹

NAKAZAWA HIDEKI


職名

准教授

取得学位 【 表示 / 非表示

  • 博士(工学)

  • 修士(工学)

所属学会・委員会 【 表示 / 非表示

  • 応用物理学会

  • 電子情報通信学会

  • ニューダイヤモンドフォーラム

  • 日本表面科学会

  • 電気関係学会東北支部連合大会実行委員会

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専門分野(科研費分類) 【 表示 / 非表示

  • 応用物性

  • 薄膜・表面界面物性

  • 応用物理学一般

  • 電子・電気材料工学

  • 無機材料・物性

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自己PR 【 表示 / 非表示

  • (連携キーワード)

    半導体,薄膜,薄膜表面, プラズマ応用, 化学気相成長(CVD),マグネトロンスパッタ, レーザーアブレーション,ガスソース分子線エピタキシ(GSMBE),カーボン系薄膜, ダイヤモンドライクカーボン(DLC),シリコンカーバイド(SiC),グラフェン

    (研究概要)

    ○  半導体およびその他薄膜の成膜プロセスおよび成膜機構に関する研究. 特にプラズマ化学気相成長(CVD)、マグネトロンスパッタ, レーザーアブレーションなどを用いたダイヤモンドライクカーボン(DLC),シリコンカーバイド(SiC),グラフェンの成膜およびその微視的な成膜機構に関する研究.
    ○  半導体およびその他薄膜の構造・組成・化学結合状態・電子状態と物性値との関連性を明らかにするための実験的研究.

    (協力できる内容)

    ・ 半導体およびカーボン系薄膜作製技術と評価技術について

    (PR)

    半導体材料およびカーボン系材料の薄膜作製・評価技術に関するご相談ください.

 

論文 【 表示 / 非表示

  • 英語,Temperature-programmed-desorption study of the process of atomic deuterium adsorption onto Si(100)2x1”jointly worked",Applied Surface Science,82-83巻 (頁 449 ~ 453) ,1994年12月,M. Suemitsu, H. Nakazawa, N. Miyamoto

    研究論文(国際会議プロシーディングス),共著,薄膜・表面界面物性,応用物理学一般,電子・電気材料工学

  • 英語,H2-TPD study on the difference in the growth kinetics between SiH4- and Si2H6-GSMBE”jointly worked",Surface Science,357-358巻 (頁 555 ~ 559) ,1996年06月,H. Nakazawa, M. Suemitsu, N. Miyamoto

    研究論文(国際会議プロシーディングス),共著,応用物理学一般,薄膜・表面界面物性,電子・電気材料工学

  • 英語,A model for the temperature-dependent adsorption kinetics of SiH4 on Si(100)”jointly worked",Applied Surface Science,107巻 (頁 81 ~ 84) ,1996年11月,M. Suemitsu, K.J. Kim, H. Nakazawa, N. Miyamoto

    研究論文(国際会議プロシーディングス),共著,薄膜・表面界面物性,応用物理学一般,電子・電気材料工学

  • 英語,Observation of Hydrogen-Coverage- and Temperature-Dependent Adsorption Kinetics of Disilane on Si(100) during Si Gas-Source Molecular Beam Epitaxy"jointly worked",Japanese Journal of Applied Physics Part2,35巻 (頁 L625 ~ L628) ,1997年05月,M. Suemitsu, H. Nakazawa,T. Morita, N. Miyamoto

    研究論文(学術雑誌),共著,薄膜・表面界面物性,結晶工学,電子・電気材料工学

  • 英語,Effect of Adsorption Kinetics on the Low-Temperature Growth-Rate Activation Energy in Si Gas-Source Molecular Beam Epitaxy"jointly worked",Japanese Journal of Applied Physics Part2,36巻 (頁 L703 ~ L704) ,1997年06月,H. Nakazawa, M. Suemitsu, N. Miyamoto

    研究論文(学術雑誌),共著,薄膜・表面界面物性,結晶工学,電子・電気材料工学

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著書 【 表示 / 非表示

  • 日本語,気泡・ボイドの発生メカニズムと未然防止・除去技術,技術情報協会,2014年02月,中澤日出樹他

    単行本(学術書),共著

  • 日本語,基礎物理学実験の手引き (共著)第1版,弘前大学出版会,2007年03月,川口節雄, 岡崎禎子, 道上宗巳, 宮永崇史, 市村雅一, 中島伸夫, 小豆畑敬, 中島健介, 中澤日出樹

    教科書,共著

  • 日本語,基礎物理学実験の手引き (共著)第2版,弘前大学出版会,2007年09月,川口節雄, 岡崎禎子, 道上宗巳, 宮永崇史, 市村雅一, 中島伸夫, 小豆畑敬, 中島健介, 中澤日出樹,佐藤裕之,齋藤玄敏

    教科書,共著

  • 日本語,基礎物理学実験の手引き (共著)第3版,弘前大学出版会,2008年10月,川口節雄, 岡崎禎子, 道上宗巳, 宮永崇史, 市村雅一, 中島伸夫, 小豆畑敬, 中島健介, 中澤日出樹,佐藤裕之,齋藤玄敏

    教科書,共著

  • 日本語,基礎物理学実験の手引き (共著)第4版,弘前大学出版会,2009年09月,川口節雄, 岡崎禎子, 道上宗巳, 宮永崇史, 市村雅一, 中島伸夫, 小豆畑敬, 中島健介, 中澤日出樹,佐藤裕之,齋藤玄敏

    教科書,共著

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学術関係受賞 【 表示 / 非表示

  • 日本表面科学会論文賞,2011年12月15日

 

担当授業科目 【 表示 / 非表示

  • 2016年度,化学の基礎Ⅱ(A),21世紀教育科目

  • 2016年度,化学概論,専門教育科目(学部)

  • 2016年度,卒業研究,専門教育科目(学部)

  • 2016年度,電子情報工学全体講義,専門教育科目(学部)

  • 2016年度,電子情報工学実験Ⅳ,専門教育科目(学部)

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学外の社会活動(高大・地域連携等) 【 表示 / 非表示

  • 第7回弘前大学と八戸高専とのシーズ提案会実行委員,2007年11月 ~ 2008年01月

  • 第8回弘前大学と八戸高専とのシーズ提案会実行委員,2008年12月 ~ 2009年01月

  • ドリーム講座,2009年11月

  • 第9回弘前大学と八戸高専とのシーズ提案会実行委員,2009年12月 ~ 2010年01月

  • サイエンスキャンプ,2013年09月

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