論文 - 中澤 日出樹
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SiおよびN添加ダイヤモンドライクカーボン膜へのO添加の効果
山崎雄也，鈴木裕史，小林康之，中澤日出樹
電子情報通信学会技術報告 123 ( 395 ) 38 - 41 2024年02月
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Photovoltaic and mechanical properties of boron carbide films prepared by magnetron sputtering
Tatsuya Nishida, Masayoshi Sato, Yoshiharu Enta, Yushi Suzuki, Yasuyuki Kobayashi, Hideki Nakazawa
Japanese Journal of Applied Physics 63 ( 1 ) 01SP38-1 - 01SP38-12 2024年01月
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SiおよびN添加ダイヤモンドライクカーボン膜の機械的特性および耐熱性
山崎雄也，佐々木祐弥，中澤日出樹
電子情報通信学会技術報告 123 ( 230 ) 33 - 36 2023年10月
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3˚オフ角Si(110)基板上へのSiC/AlN多層構造の作製およびグラフェンの形成
齋藤遼佑 , 奈良友奎 , 葛西大希 , 郡山春人 , 遠田義晴 , 中澤日出樹
電子情報通信学会技術報告 123 ( 142 ) 29 - 32 2023年07月
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水素ガスを用いたマグネトロンスパッタ法による炭化ホウ素薄膜の光起電力特性
西田竜也、佐藤聖能、小林康之、遠田義晴、中澤日出樹
電子情報通信学会技術報告 122 ( 392 ) 35 - 38 2023年02月
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マグネトロンスパッタ法による炭化ホウ素膜特性への水素ガスの効果
西田竜也、谷口 颯、佐藤聖能、小林康之、遠田義晴、鈴木裕史、吹留博一、中澤日出樹
電子情報通信学会技術報告 122 ( 147 ) 14 - 17 2022年07月
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Effects of annealing temperature on the mechanical, optical, and electrical properties of hydrogenated, nitrogen-doped diamond-like carbon films
Hiroya Osanai, Kazuki Nakamura, Yuya Sasaki, Haruto Koriyama, Yasuyuki Kobayashi, Yoshiharu Enta, Yushi Suzuki, Maki Suemitsu, Hideki Nakazawa
Thin Solid Films 745 139100-1 - 139100-15 2022年03月
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Influence of hydrogen gas flow ratio on the properties of silicon- and nitrogen-doped diamond-like carbon films by plasma-enhanced chemical vapor deposition
Y. Sasaki, H. Osanai, Y. Ohtani, Y. Murono, M. Sato, Y. Kobayashi, Y. Enta, Y. Suzuki, H. Nakazawa
Diamond and Related Materials 123 108878-1 - 108878-12 2022年03月
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Annealing effects on the properties of hydrogenated diamond-like carbon films doped with silicon and nitrogen
H. Nakazawa, K. Nakamura, H. Osanai, Y. Sasaki, H. Koriyama, Y. Kobayashi, Y. Enta, S. Suzuki, M. Suemitsu
Diamond and Related Materials 122 108809-1 - 108809-12 2022年02月
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Effects of silicon doping on the chemical bonding states and properties of nitrogen-doped diamond-like carbon films by plasma-enhanced chemical vapor deposition
K. Nakamura, H. Ohashi, Y. Enta, Y. Kobayashi, Y. Suzuki, M. Suemitsu, H. Nakazawa
Thin Solid Films 736 138923-1 - 138923-11 2021年10月
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プラズマ化学気相成長法によるSi及びN添加ダイヤモンドライクカーボン膜の光学的特性および電気的特性に及ぼすH₂及びAr希釈の効果
佐々木祐弥，長内公哉，大谷優介，室野優太，佐藤聖能，小林康之，遠田義晴，鈴木裕史，中澤日出樹
電子情報通信学会技術報告 121 ( 220 ) 23 - 28 2021年10月
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マグネトロンスパッタ法を用いて作製したBCN膜特性への水素の効果
谷口 颯, 郡山春人, 小林康之, 遠田義晴, 吹留博一, 中澤日出樹
電子情報通信学会技術報告 120 ( 217 ) 23 - 26 2020年10月
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AlN/Si(110)基板上SiCエピタキシャル成長におけるSiC低温バッファ層の効果
葛西大希, 奈良友奎, 中澤日出樹
電子情報通信学会技術報告 120 ( 217 ) 7 - 10 2020年10月
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Influence of the terrace width of pentacene underlayers on the crystallinity of C60 overlayers
K. Nakata, H. Nakazawa, H. Okamoto, Y. Kobayashi
Thin Solid Films 692 137638-1 - 137638-5 2019年12月
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窒素を添加したDLC膜特性へのアニール効果
長内公哉, 中村和樹, 郡山春人, 小林康之, 遠田義晴, 鈴木裕史, 末光眞希, 中澤日出樹
電子情報通信学会技術報告 119 ( 217 ) 9 - 14 2019年11月
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Growth of 3C-SiC(111) on AlN/off-axis Si(111) hetero-structure and formation of epitaxial graphene thereon
S. Narita, Y. Nara, Y. Enta, H. Nakazawa
Japanese Journal of Applied Physics 58 SIIA16-1 - SIIA16-8 2019年08月
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オフ角Si(110)基板上AlN層の形成とその上へのSiCヘテロエピタキシャル成長
中澤日出樹, 奈良友奎, 葛西大希
電子情報通信学会技術報告 119 ( 181 ) 23 - 28 2019年08月
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Effect of a SiC seed layer grown at different temperatures on SiC film deposition on top of AlN/Si(110) substrate
Y. Nara, H. Nakazawa
Japanese Journal of Applied Physics 58 SIIA18-1 - SIIA18-6 2019年08月
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Effect of a SiC seed layer grown at different temperatures on SiC film deposition on top of an AlN/Si(110) substrate
Yuki Nara, Hideki Nakazawa
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 ( SI ) SIIA18-1 - SIIA18-6 2019年08月
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Growth of 3C-SiC(111) on AlN/off-axis Si(110) hetero-structure and formation of epitaxial graphene thereon
Syunki Narita, Yuki Nara, Yoshiharu Enta, Hideki Nakazawa
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 ( SI ) SIIA16-1 - SIIA16-8 2019年08月