論文 - 中澤　日出樹

SiおよびN添加ダイヤモンドライクカーボン膜へのO添加の効果

山崎雄也，鈴木裕史，小林康之，中澤日出樹

電子情報通信学会技術報告   123 ( 395 )   38 - 41   2024年02月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）   共著区分：共著  

Photovoltaic and mechanical properties of boron carbide films prepared by magnetron sputtering

Tatsuya Nishida, Masayoshi Sato, Yoshiharu Enta, Yushi Suzuki, Yasuyuki Kobayashi, Hideki Nakazawa

Japanese Journal of Applied Physics   63 ( 1 )   01SP38-1 - 01SP38-12   2024年01月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   共著区分：共著  

SiおよびN添加ダイヤモンドライクカーボン膜の機械的特性および耐熱性

山崎雄也，佐々木祐弥，中澤日出樹

電子情報通信学会技術報告   123 ( 230 )   33 - 36   2023年10月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）   共著区分：共著  

3˚オフ角Si(110)基板上へのSiC/AlN多層構造の作製およびグラフェンの形成

齋藤遼佑 , 奈良友奎 , 葛西大希 , 郡山春人 , 遠田義晴 , 中澤日出樹

電子情報通信学会技術報告   123 ( 142 )   29 - 32   2023年07月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）   共著区分：共著  

水素ガスを用いたマグネトロンスパッタ法による炭化ホウ素薄膜の光起電力特性

西田竜也、佐藤聖能、小林康之、遠田義晴、中澤日出樹

電子情報通信学会技術報告   122 ( 392 )   35 - 38   2023年02月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）   共著区分：共著  

マグネトロンスパッタ法による炭化ホウ素膜特性への水素ガスの効果

西田竜也、谷口　颯、佐藤聖能、小林康之、遠田義晴、鈴木裕史、吹留博一、中澤日出樹

電子情報通信学会技術報告   122 ( 147 )   14 - 17   2022年07月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）   共著区分：共著  

Effects of annealing temperature on the mechanical, optical, and electrical properties of hydrogenated, nitrogen-doped diamond-like carbon films

Hiroya Osanai, Kazuki Nakamura, Yuya Sasaki, Haruto Koriyama, Yasuyuki Kobayashi, Yoshiharu Enta, Yushi Suzuki, Maki Suemitsu, Hideki Nakazawa

Thin Solid Films   745   139100-1 - 139100-15   2022年03月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

Influence of hydrogen gas flow ratio on the properties of silicon- and nitrogen-doped diamond-like carbon films by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Y. Sasaki, H. Osanai, Y. Ohtani, Y. Murono, M. Sato, Y. Kobayashi, Y. Enta, Y. Suzuki, H. Nakazawa

Diamond and Related Materials   123   108878-1 - 108878-12   2022年03月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   共著区分：共著  

Annealing effects on the properties of hydrogenated diamond-like carbon films doped with silicon and nitrogen

H. Nakazawa, K. Nakamura, H. Osanai, Y. Sasaki, H. Koriyama, Y. Kobayashi, Y. Enta, S. Suzuki, M. Suemitsu

Diamond and Related Materials   122   108809-1 - 108809-12   2022年02月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   共著区分：共著  

Effects of silicon doping on the chemical bonding states and properties of nitrogen-doped diamond-like carbon films by plasma-enhanced chemical vapor deposition

K. Nakamura, H. Ohashi, Y. Enta, Y. Kobayashi, Y. Suzuki, M. Suemitsu, H. Nakazawa

Thin Solid Films   736   138923-1 - 138923-11   2021年10月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

プラズマ化学気相成長法によるSi及びN添加ダイヤモンドライクカーボン膜の光学的特性および電気的特性に及ぼすH₂及びAr希釈の効果

佐々木祐弥，長内公哉，大谷優介，室野優太，佐藤聖能，小林康之，遠田義晴，鈴木裕史，中澤日出樹

電子情報通信学会技術報告   121 ( 220 )   23 - 28   2021年10月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）   共著区分：共著  

マグネトロンスパッタ法を用いて作製したBCN膜特性への水素の効果

谷口　颯, 郡山春人, 小林康之, 遠田義晴, 吹留博一, 中澤日出樹

電子情報通信学会技術報告   120 ( 217 )   23 - 26   2020年10月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）   共著区分：共著  

AlN/Si(110)基板上SiCエピタキシャル成長におけるSiC低温バッファ層の効果

葛西大希, 奈良友奎, 中澤日出樹

電子情報通信学会技術報告   120 ( 217 )   7 - 10   2020年10月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）   共著区分：共著  

Influence of the terrace width of pentacene underlayers on the crystallinity of C60 overlayers

K. Nakata, H. Nakazawa, H. Okamoto, Y. Kobayashi

Thin Solid Films   692   137638-1 - 137638-5   2019年12月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

窒素を添加したDLC膜特性へのアニール効果

長内公哉, 中村和樹, 郡山春人, 小林康之, 遠田義晴, 鈴木裕史, 末光眞希, 中澤日出樹

電子情報通信学会技術報告   119 ( 217 )   9 - 14   2019年11月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）   共著区分：共著  

Growth of 3C-SiC(111) on AlN/off-axis Si(111) hetero-structure and formation of epitaxial graphene thereon

S. Narita, Y. Nara, Y. Enta, H. Nakazawa

Japanese Journal of Applied Physics   58   SIIA16-1 - SIIA16-8   2019年08月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

Effect of a SiC seed layer grown at different temperatures on SiC film deposition on top of AlN/Si(110) substrate

Y. Nara, H. Nakazawa

Japanese Journal of Applied Physics   58   SIIA18-1 - SIIA18-6   2019年08月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

オフ角Si(110)基板上AlN層の形成とその上へのSiCヘテロエピタキシャル成長

中澤日出樹, 奈良友奎, 葛西大希

電子情報通信学会技術報告   119 ( 181 )   23 - 28   2019年08月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）   共著区分：共著  

Effect of a SiC seed layer grown at different temperatures on SiC film deposition on top of an AlN/Si(110) substrate

Yuki Nara, Hideki Nakazawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 ( SI )   SIIA18-1 - SIIA18-6   2019年08月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

Web of Science

Scopus

Growth of 3C-SiC(111) on AlN/off-axis Si(110) hetero-structure and formation of epitaxial graphene thereon

Syunki Narita, Yuki Nara, Yoshiharu Enta, Hideki Nakazawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 ( SI )   SIIA16-1 - SIIA16-8   2019年08月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

Web of Science

Scopus

Study on the formation mechanism of bismuth -mediated Ge nanodots fabricated by vacuum evaporation

K. Tsushima, K. Takita, H. Nakazawa, T. Tawara, K. Tateno, G. Zhang, H. Gotoh, H. Okamoto

Japanese Journal of Applied Physics   58   SDDG-1 - SDDG-5   2019年06月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

炭素系薄膜の作製と評価

中澤日出樹

電子情報通信学会技術報告   118 ( 461 )   37 - 40   2019年02月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）   共著区分：単著  

ケイ素及び窒素を添加したDLC薄膜の熱的安定性

中澤日出樹、中村和樹、長内公哉、郡山春人、小林康之、遠田義晴、鈴木裕史、末光眞希

電子情報通信学会技術報告   118 ( 179 )   99 - 104   2018年10月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）   共著区分：共著  

Si添加DLC薄膜への窒素添加の効果

中村和樹、大橋遼、横山大・田島圭一郎、遠藤則史、末光眞希、遠田義晴、小林康之、鈴木裕史、中澤日出樹

電子情報通信学会技術報告   118 ( 179 )   1 - 6   2018年08月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）   共著区分：共著  

SiC/AlN/Si(110)基板上グラフェンの成長

中澤日出樹、成田舜基、奈良友奎、遠田義晴

電子情報通信学会技術報告   118 ( 179 )   7 - 12   2018年08月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）   共著区分：共著  

SiC/SiCバッファ層/AlN/Si(110)多層構造におけるSiCバッファ層形成条件の検討

奈良友奎、工藤あさひ、中澤日出樹

電子情報通信学会技術報告   118 ( 179 )   13 - 16   2018年08月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）   共著区分：共著  

真空蒸着法によるBi媒介Geナノドットの形成機構の検討

対馬和都、滝田健介、中澤日出樹、俵毅彦、舘野功太、章国強、後藤秀樹、池田高之、水野誠一郎、岡本浩

電子情報通信学会技術報告   118 ( 179 )   21 - 24   2018年08月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）   共著区分：共著  

Impacts of substrate bias and dilution gas on the properties of Si-incorporated diamond-like carbon films by plasma deposition using organosilane as a Si source

H. Nakazawa, S. Miura, K. Nakamura, Y. Nara

Thin Solid Films   654   38 - 48   2018年05月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

Synthesis of boron/nitrogen-incorporated diamond-like carbon films by pulsed laser deposition using nitrogen gas and a boron-containing graphite target”jointly worked"

H. Nakazawa, R. Osozawa, Y. Mohnai, Y. Nara

Japanese Journal of Applied Physics   56   105501-1 - 105501-7   2017年10月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

レーザーアブレーション法によるSiCバッファ層を用いたAlN/Si(110)基板上へのSiCエピタキシャル成長（共著）

奈良友奎, 成田舜基, 中澤日出樹

電子情報通信学会技術報告   117   7 - 10   2017年08月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）   共著区分：共著  

Effects of source gases on the properties of silicon/nitrogen-incorporated diamond-like carbon films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition"jointly worked"

H. Nakazawa, K. Magara, T. Takami, H. Ogasawara, Y. Enta, Y. Suzuki

Thin Solid Films   636   177 - 182   2017年08月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

Formation of graphene/SiC/AlN multilayers synthesized by pulsed laser deposition on Si(110) substrates”jointly worked"

S. Narita, K. Meguro, T. Takami, Y. Enta, H. Nakazawa

Journal of Crystal Growth   260   27 - 36   2017年02月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

Tribological properties and thermal stability of hydrogenated, silicon/nitrogen-coincorporated diamond-like carbon films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition”jointly worked"

H. Nakazawa, S. Okuno, K. Magara, K. Nakamura, S. Miura, Y. Enta

Japanese Journal of Applied Physics   55   125501-1 - 125501-9   2016年12月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

Structural and electrical properties and current-voltage characterristics of nitrogen-doped diamond-like carbon films on Si substrates by plasma-enhanced chemical vapor deposition”jointly worked"

M. Tsuchiya, K. Murakami, K. Magara, K. Nakamura, H. Ohashi, K. Tokuda, T. Takami, H. Ogasawara, Y. Enta, Y. Suzuki, S. Ando, H. Nakazawa

Japanese Journal of Applied Physics   55   065502-1 - 065502-6   2016年06月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

レーザーアブレーション法によるAlN/Si(110)基板上へのSiC成長（共著）

成田舜基，目黒一熙, 中澤日出樹

電子情報通信学会技術報告   115   11 - 14   2015年08月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）   共著区分：共著  

高周波プラズマ化学気相成長法による窒素添加DLC薄膜の膜特性への基板バイアスの影響（共著）

土屋政人，村上和輝，佐藤達人，高見貴弘，遠田義晴，中澤日出樹

電子情報通信学会技術報告   115   7 - 10   2015年08月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）   共著区分：共著  

レーザーアブレーション法によるAlN/Si(110)基板上SiC薄膜の作製と評価（共著）

目黒一熙, 成田舜基, 中澤日出樹

電子情報通信学会技術報告   115   1 - 5   2015年08月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）   共著区分：共著  

Relaxation of Cs atomic polarization at surface coatings characterized by X-ray photoelectron spectroscopy"jointly worked"

K. Kushida, T. Niwano, T. Morita, T. Shimizu, K. Meguro, H. Nakazawa, A. Hatayama

Japanese Journal of Applied Physics   54   066401-1 - 066401-5   2015年06月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

Growth of silicon carbide on Si(100) substrate with an intermediate aluminum nitride layer by ultralow-pressure chemical vapor deposition using monomethylsilane"jointly worked"

H. Nakazawa, D. Suzuki, T. Narita, K. Meguro, M. Tsuchiya

Journal of Crystal Growth   418   52 - 56   2015年05月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

Deposition of silicon-doped diamond-like carbon films by plasma-enhanced chemical vapor deposition using an intermittent supply of organosilane"jointly worked"

H. Nakazawa, R. Kmata, S. Okuno

Dimoand and Related Materials   51   7 - 13   2015年01月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

Effects of frequency of pulsed substrate bias on structure and properties of silicon-doped diamond-like carbon films by plasma deposition"jointly worked"

H. Nakazawa, R. Kmata, S. Miura, S. Okuno

Thin Solid Films   574   93 - 98   2015年01月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

高周波プラズマ化学気相成長法による窒素添加DLC薄膜の特性評価（共著）

土屋政人, 真柄晃平, 徳田健吾, 中澤日出樹

電子情報通信学会技術報告   114   1 - 5   2014年09月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）   共著区分：共著  

オフ角Si(001)基板上に形成したAlN層上へのSiCヘテロエピタキシャル成長（共著）

目黒一熙, 成田次理, 上村駿洋, 中澤日出樹

電子情報通信学会技術報告   114   7 - 12   2014年09月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）   共著区分：共著  

Formation of an interfacial buffer layer for 3C-SiC heteroepitaxy on AlN/Si substrates "jointly worked"

K. Meguro, T. Narita, K. Noto, H. Nakazawa

Materials Science Forum   778-780   251 - 254   2014年02月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   共著区分：共著  

Decomposition kinetics of silicon oxide layers on silicon substrates during annealing in vacuum "jointly worked"

Y. Enta, T. Nagai, T. Yoshida, N. Ujiie, H. Nakazawa

Journal of Applied Physics   114   114104-1 - 114104-4   2013年09月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

Influence of duty ratio of pulsed bias on structure and properties of silicon-doped diamond-like carbon films by plasma deposition "jointly worked"

H. Nakazawa, R. Kmata, S. Miura, S. Okuno

Thin Solid Films   539   134 - 138   2013年07月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

Surface enhanced infrared absorption spectra on pulsed laser deposited silver island films "jointly worked"

H. Nakashima, Y. Sasaki, R. Osozawa, Y. Kon, H. Nakazawa, Y. Suzuki

Thin Solid Films   536   166 - 171   2013年06月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

Effects of pulse bias on structure and properties of silicon/nitrogen-incorporated diamond-like carbon films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition（共著）

H. Nakazawa, S. Miura, R. Kamata, S. Okuno, M. Suemitsu, T. Abe

Applied Surface Science   264   625 - 632   2013年01月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

Formation of Ge Nanodots Capped with SiC Layer by Gas-Source MBE Using MMGe and MMSi（共著）

K. Yasui, Y. Anezaki, K. Sato, A. Kato, T. Kato, M. Suemitsu, Y. Narita, H. Nakazawa

ECS Transactions   50   171 - 177   2012年12月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   共著区分：共著  

ガスソースMBEによるSi上の高密度Geナノドットの作製と発光特性（共著）

姉崎　豊，佐藤　魁，加藤孝弘，加藤有行，豊田英之，末光真希，中澤日出樹，成田　克，安井寛治

電子情報通信学会技術報告   112   97 - 100   2012年10月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）   共著区分：共著  

Si基板上へのAlN層の形成およびSi/AlN上への3C-SiC成長（共著）

中澤日出樹，鈴木大樹，成田次理，山本陽平

電子情報通信学会技術報告   112   39 - 44   2012年10月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）   共著区分：共著  

Si(100)基板/AlN中間層上への3C-SiCヘテロエピタキシャル成長（共著）

中澤日出樹，鈴木大樹，成田次理，山本陽平

電子情報通信学会技術報告   112   5 - 10   2012年08月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）   共著区分：共著  

ガスソースMBE法による高密度Geナノドット/SiC積層構造の作製とその発光特性（共著）

姉崎　豊，佐藤　魁，加藤孝弘，加藤有行，末光真希，中澤日出樹，成田　克，安井寛治

電子情報通信学会技術報告   112   11 - 15   2012年08月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）   共著区分：共著  

有機金属化合物を用いたSiC/Geナノドット積層構造の作製（共著）

姉崎豊，大谷孝史，須藤晴紀，加藤孝弘，加藤有行，末光眞希，成田克，中澤日出樹，安井寛治

表面科学   33   376 - 381   2012年07月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

Hydrogen Effects of the Properties of Silicon/Nitrogen-Coincorporated Diamond-Like Carbon Films Prepared by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition（共著）

H. Nakazawa, S. Okuno, S. Miura, R. Kamata

Japanese Journal of Applied Physics   51   075801-1 - 075801-7   2012年07月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

Characteristics of Silicon/Nitrogen-Coincorporated Diamond-Like Carbon Films Prepared by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition（共著）

H. Nakazawa, S. Miura, R. Kamata, S. Okuno, Y. Enta, M. Suemitsu, T. Abe

Japanese Journal of Applied Physics   51   015603-1 - 015603-7   2012年01月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

Temperature dependence of the optical gap of diamond-like carbon films investigated by a piezoelectric photothermal spectroscopy（共著）

W. Ding, Y. Nakano, R. Yamamoto, K. Sakai, H. Nakazawa, A. Fukuyama, T. Ikari

Energy Procedia   10   66 - 70   2011年12月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   共著区分：共著  

SiC層中に埋め込まれたGe・SiCドットの発光特性（共著）

大谷孝史，姉崎　豊，浅野　翔，加藤有行，成田　克，中澤日出樹，加藤孝弘，安井寛治

電子情報通信学会技術報告   CPM111   15 - 20   2011年08月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）   共著区分：共著  

レーザーアブレーション法によるDLC膜特性に及ぼすB、N添加の影響（共著）

毛内裕介，遅澤遼一，中澤日出樹

電子情報通信学会技術報告   CPM111   37 - 42   2011年08月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）   共著区分：共著  

プラズマCVD法によるSiおよびN同時添加DLC膜特性に対する水素の影響（共著）

奥野さおり，三浦創史，鎌田亮輔，中澤日出樹

電子情報通信学会技術報告   CPM111   31 - 36   2011年08月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）   共著区分：共著  

レーザーアブレーション法によるAlN成長のSi基板面方位依存性（共著）

鈴木大樹，熊谷知貴，中澤日出樹

電子情報通信学会技術報告   CPM111   1 - 6   2011年08月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）   共著区分：共著  

Effects of hydrogen on the properties of Si-incorporated diamond-like carbon films prepared by pulsed laser deposition（共著）

H. Nakazawa, R. Osozawa,T. Okuzaki, N. Sato, M. Suemitsu, T. Abe

Diamond and Related Materials   20   485 - 491   2011年04月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   共著区分：共著  

Changes in chemical bonding of diamond-like carbon films by atomic-hydrogen exposure（共著）

H. Nakazawa, R. Osozawa, Y. Enta, M. Suemitsu

Dimoand and Related Materials   19   1387 - 1392   2010年11月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化（共著）

永田一樹, 里本宗一, 片桐裕則, 神保和夫, 末光眞希, 遠藤哲郎, 伊藤　隆, 中澤日出樹, 成田　克, 安井寛治

電子情報通信学会技術報告   CPM110   55 - 58   2010年10月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）   共著区分：共著  

レーザーアブレーション法によるSi基板上AlN薄膜の形成（共著）

中澤日出樹, 鈴木大樹, 遲澤遼一, 岡本　浩

電子情報通信学会技術報告   CPM110   39 - 44   2010年07月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）   共著区分：共著  

Silicon thermal oxidation and its thermal deposition investigated by Si 2p core-level photoemission（共著）

Y. Enta, H. Nakazawa, S. Sato, H. Kato, Y. Sakisaka

Journal of Physics   235   012008-1 - 012008-6   2010年06月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   共著区分：共著  

Mechanical and tribological properties of boron, nitrogen-coincorporated diamond-like carbon films prepared by reactive radio-frequency magnetron Sputtering（共著）

H. Nakazawa, A. Sudoh, M. Suemitsu, K. Yasui, T. Itoh, T. Endoh, Y. Narita, M. Mashita

Diamond and Related Materials   19   503 - 506   2010年05月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   共著区分：共著  

Effects of Silicon Source Gas and Substrate Bias on the Film Properties of Si-Incorporated Diamond-Like Carbon by Radio- Frequency Plasma-Enhanced Chemical Va-por Deposition（共著）

H. Nakazawa, T. Kinoshita, Y. Kaimori, Y. Asai, M. Suemitsu, T. Abe, K. Yasui, T. Endoh, T. Itoh, Y. Narita, Y. Enta, M. Mashita

Japanese Journal of Applied Physics   48   116002-1 - 116002-8   2009年11月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

有機シランを用いたプラズマCVD法によるダイヤモンドライクカーボン薄膜の膜特性評価（共著）

三浦創史,中澤日出樹,西崎圭太,末光眞希,安井寛治,伊藤　隆,遠藤哲郎,成田　克

電子情報通信学会技術報告   CPM109   13 - 18   2009年08月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）   共著区分：共著  

間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長（共著）

齋藤　健,永田一樹,末光眞希,遠藤哲郎,伊藤　隆,中澤日出樹,成田　克,高田雅介,赤羽正志,安井寛治

電子情報通信学会技術報告   CPM109   61 - 66   2009年08月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）   共著区分：共著  

原子状水素照射によるダイヤモンドライクカーボン膜の化学結合状態の変化（共著）

遲澤遼一,中澤日出樹,奥崎知秀,佐藤直之,遠田義晴,末光眞希

電子情報通信学会技術報告   CPM109   19 - 24   2009年08月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）   共著区分：共著  

Epitaxial Growth of GaN Films by Pulse-Mode Hot-Mesh Chemical Vapor Deposition （共著）

Y. Komae, K. Yasui, M. Suemitsu, T. Endoh, T. Ito, H. Nakazawa, Y. Narita, M. Takata, T. Akahane

Japanese Journal of Applied Physics   48   076509-1 - 076509-5   2009年07月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

Atomic hydrogen etching of silicon-incorporated diamond- like carbon films prepared by pulsed laser deposition（共著）

H. Nakazawa, H. Sugita, Y. Enta, M. Suemitsu, K. Yasui, T. Itoh, T. Endoh, Y. Narita, M. Mashita

Diamond and Related Materials   18   831 - 834   2009年06月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   共著区分：共著  

The growth of GaN films by alternate source gas supply hot-mesh CVD method （共著）

Y. Komae, T. Saitou, M. Suemitsu, T. Ito, T. Endoh, H. Nakazawa, Y. Narita, M. Takata, T. Akahane, K. Yasui

Thin Solid Films   517   3528 - 3531   2009年04月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   共著区分：共著  

Raman-Scattering Spectroscopy of Epitaxial Graphene Formed on SiC Film on Si Substrate（共著）

Y. Miyamoto, H. Handa, E. Saito, A. Konno, Y. Narita, M. Suemitsu, H. Fukidome, T. Ito, K. Yasui, H. Nakazawa, T. Endoh

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology   7   107 - 109   2009年02月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

Thin-Film Deposition of Silicon-Incorporated Diamond-Like Carbon by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Using Monomethylsilane as a Silicon Source（共著）

H. Nakazawa, Y. Asai, T. Kinoshita, M. Suemitsu, T. Abe, K. Yasui, T. Itoh, T. Endoh, Y. Narita, A. Konno, Y. Enta, M. Mashita

Japanese Journal of Applied Physics   47   8491 - 8497   2008年11月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長（共著）

小前泰彰, 齋藤　健, 末光眞希, 伊藤　隆, 遠藤哲郎, 中澤日出樹, 成田　克, 高田雅介, 安井寛治, 赤羽正志

電子情報通信学会技術報告   108   7 - 12   2008年10月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）   共著区分：共著  

“Temperature oscillation” as a real-time monitoring of the growth of 3C–SiC on Si substrate（共著）

E. Saito, A. Konno, T. Ito, K. Yasui, H. Nakazawa, T. Endoh, Y. Narita, M. Suemitsu

Applied Surface Science   254   6235 - 6237   2008年07月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   共著区分：共著  

Growth of GaN on SiC/Si substrates using AlN buffer layer by hot-mesh CVD （共著）

K. Tamura, Y. Kuroki, K. Yasui, M. Suemitsu, T. Itoh, T. Endoh, H. Nakazawa, Y. Narita, M. Takata, T. Akahane

Thin Solid Films   516   659 - 662   2008年01月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   共著区分：共著  

Growth of GaN films by hot-mesh chemical vapor deposition using ruthenium coated tungsten mesh （共著）

Y. Fukada, K. Yasui, Y. Kuroki, M. Suemitsu, T. Itoh, T. Endoh, H. Nakazawa, Y. Narita, M. Takata, T. Akahane

Japanese Journal of Applied Physics   47   573 - 576   2008年01月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

Effects of substrate bias voltage on structural, mechanical and tribological properties of diamond-like carbon films prepared plasma-enhanced chemical vapor deposition using methane and argon gases（共著）

H. Nakazawa, S. Kato, Y. Asai, M. Mashita

Japanese Journal of Applied Physics   47   231 - 236   2008年01月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

Comparison of film properties between hydrogenated and unhydrogenated diamond-like carbon films prepared by radio-frequency magnetron sputtering "jointly worked"

H. Nakazawa, M. Kudo, M. Mashita

Japanese Journal of Applied Physics   46   7816 - 7823   2007年12月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

ホットメッシュCVD法によるGaN成長-ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果- （共著）

深田祐介，安部和貴，黒木雄一郎，末光眞希，伊藤　隆，成田　克，遠藤哲郎，中澤日出樹，高田雅介，安井寛治，赤羽正志

信学技報   2007年11月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）   共著区分：共著  

Structural changes of diamond-like carbon films due to atomic hydrogen exposure during annealing "jointly worked"

H. Nakazawa, T. Kawabata, M. Kudo, M. Mashita

Applied Surface Science   253   4188 - 4196   2007年02月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

Hydrogen-Controlled Crystallinity of 3C-SiC Film on Si(001) Grown with Monomethylsilane "jointly worked"

Y. Narita, A. Konno, H. Nakazawa, T. Itoh, K. Yasui, T. Endoh, M. Suemitsu

Japanese Journal of Applied Physics   46   L40 - L42   2007年01月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

Low-temperature heteroepitaxial growth of 3C-SiC(111) on Si(110) substrate using monomethylsilane "jointly worked"

A. Konno, Y. Narita, T. Itoh,K. Yasui, H. Nakazawa, T. Endoh, M. Suemitsu

ECS Transactions   3   449 - 455   2006年11月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   共著区分：共著  

Effects of hydrogen on film properties of diamond-like carbon films prepared by reactive radio-frequency magnetron sputtering using hydrogen gas "jointly worked"

T. Mikami, H. Nakazawa,M. Kudo, M. Mashita

Thin Solid Films   488   87 - 92   2005年09月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

Thermal effects on structural properties of diamond-like carbon films prepared by pulsed laser deposition "jointly worked"

H. Nakazawa, Y. Yamagata, M. Suemitsu, M. Mashita

Thin Solid Films   467   98 - 103   2004年11月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

Adsorption kinetics of dimethylsilane at Si(001)

K. Senthil, H. Nakazawa, M. Suemitsu

Applied Surface Science   224   183 - 187   2004年03月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   共著区分：共著  

Adsorption and desorption kinetics of organosilanes at Si(001) surfaces "jointly worked"

K. Senthil, H. Nakazawa, M. Suemitsu

Japanese Journal of Applied Physics   42   6804 - 6808   2003年11月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

高周波マグネトロンスパッタリング法により作製したダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜の構造と熱的安定性（共著）

三上尊正、中澤日出樹、遠田義晴、 末光眞希、真下正夫

表面科学   24   411 - 416   2003年07月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

Photoluminescence from Ultrathin InAs/GaAs Single Quantum Wells Grown on GaAs(111)A Substrates "jointly worked"

M. Mashita, T. Numata,H. Nakazawa, Y. Kajikawa,B. H. Koo, H. Makino,T. Yao

Japanese Journal of Applied Physics   42   L807 - L809   2003年07月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

有機シランガスを用いたSi基板上シングルドメインSiC薄膜の形成メカニズム（共著）

中澤日出樹, 末光眞希, 真下正夫

表面科学   24   429 - 433   2003年07月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

Structure, Chemical bonding and These Thermal Stabilities of Diamond-Like Carbon (DLC) Films by RF Magnetron Sputtering "jointly worked"

H. Nakazawa, T. Mikami,Y. Enta, M. Suemitsu,M. Mashita

Japanese Journal of Applied Physics   42   L676 - L679   2003年06月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

Formation　of　quasi-single-domain 3C-SiC on nominally on-axis Si(001) substrate using organosilane buffer layer "jointly worked"

H. Nakazawa, M. Suemitsu

Journal of Applied Physics   93   5282 - 5286   2003年05月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

Formation of extremely thin, quasi-single-domain 3C-SiC film on resistively heated on-axis Si(001) substrate using organosilane buffer layer"jointly worked"

H. Nakazawa, M. Suemitsu

Materials Science Forum   389-393   351 - 354   2002年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   共著区分：共著  

Role of adsorption kinetics in the low-temperature Si growth by gas-source molecular beam epitaxy: in situ observations and detailed modeling of the growth”jointly worked"

T. Murata, H. Nakazawa, Y. Tsukidate, M. Suemitsu

Applied Physics Letters   79   746 - 748   2001年08月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

Low-temperature formation of an interfacial buffer layer using monomethylsilane for 3C-SiC/Si(100) heteroepitaxy”jointly worked"

H. Nakazawa, M. Suemitsu

Applied Physics Letters   79   755 - 757   2001年08月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

Role of hydrogen preparing in the hydrogen desorption kinetics from Si(100)-2x1: effects of hydrogenation-gas and thermal history”jointly worked"

H. Nakazawa, M. Suemitsu, N. Miyamoto

Surface Science   465   177 - 185   2000年10月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

Dissociative adsorption of monomethylsilane on Si(100) as revealed by comparative temperature-programmed-desorption studies on H/, C2H2/, and MMS/Si(100) "jointly worked"

H. Nakazawa, M. Suemitsu

Applied Surface Science   162-163   139 - 145   2000年08月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   共著区分：共著  

Gas-Source MBE of SiC/Si using monomethylsilane"jointly worked"

H. Nakazawa, M. Suemitsu, S. Asami

Thin Solid Films   369   269 - 272   2000年07月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   共著区分：共著  

Formation of high quality SiC on Si(100) at 900ºC using monomethylsilane gas-source MBE

H. Nakazawa, M. Suemitsu

Materials Science Forum   338-342   269 - 272   2000年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   共著区分：共著  

Si系ガスソースMBEに関する研究

中澤日出樹

1999年03月

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記述言語：日本語   掲載種別：学位論文（博士）   共著区分：単著  

Higher-order desorption kinetics of hydrogen from silane/, disilane/, and D/Si(100)

H. Nakazawa, M. Suemitsu, S. Asami

Applied Surface Science   130-132   298 - 303   1998年06月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   共著区分：共著  

Effects of surface phosphorus on the kinetics of hydrogen desorption from silane adsorbed Si(100) surface at room temperatures

M. Suemitsu, Y. Tsukidate, H. Nakazawa, Y. Enta

Journal of Vacuum Sicence and Technology A   16   1772 - 1774   1998年05月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

Effect of Adsorption Kinetics on the Low-Temperature Growth-Rate Activation Energy in Si Gas-Source Molecular Beam Epitaxy

H. Nakazawa, M. Suemitsu, N. Miyamoto

Japanese Journal of Applied Physics Part2   36   L703 - L704   1997年06月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

Observation of Hydrogen-Coverage- and Temperature-Dependent Adsorption Kinetics of Disilane on Si(100) during Si Gas-Source Molecular Beam Epitaxy

M. Suemitsu, H. Nakazawa,T. Morita, N. Miyamoto

Japanese Journal of Applied Physics Part2   35   L625 - L628   1997年05月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

A model for the temperature-dependent adsorption kinetics of SiH4 on Si(100)

M. Suemitsu, K.J. Kim, H. Nakazawa, N. Miyamoto

Applied Surface Science   107   81 - 84   1996年11月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   共著区分：共著  

H2-TPD study on the difference in the growth kinetics between SiH4- and Si2H6-GSMBE

H. Nakazawa, M. Suemitsu, N. Miyamoto

Surface Science   357-358   555 - 559   1996年06月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   共著区分：共著  

SiガスソースMBEにおける水素吸着脱離過程に関する研究

中澤日出樹

1996年03月

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記述言語：日本語   共著区分：単著  

Temperature-programmed-desorption study of the process of atomic deuterium adsorption onto Si(100)2x1

M. Suemitsu, H. Nakazawa, N. Miyamoto

Applied Surface Science   82-83   449 - 453   1994年12月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   共著区分：共著