2022/04/07 更新

写真b

ナカザワ ヒデキ
中澤 日出樹
NAKAZAWA HIDEKI
所属
自然科学系 機能創成科学領域
専任担当
理工学研究科 研究部

学位

  • 博士(工学)

  • 修士(工学)

研究分野

  • ナノテク・材料 / 無機材料、物性

  • ナノテク・材料 / 応用物性

  • ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性

  • ナノテク・材料 / 応用物理一般

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学

  • ナノテク・材料 / 結晶工学

▼全件表示

所属学協会

  • 応用物理学会

  • 電子情報通信学会

  • ニューダイヤモンドフォーラム

  • 日本表面科学会

  • 第22回レーザ精密微細加工国際シンポジウム

  • 電気関係学会東北支部連合大会実行委員会

  • 応用物理学会東北支部学術講演会現地実行委員会

  • 電子部品・材料研究会(CPM)現地実行委員会

  • 電気学会電子・情報・システム部門大会開催地区実行委員会

  • 電子部品・材料研究会(CPM)現地実行委員会

  • 電子部品・材料研究会(CPM)現地実行委員会

  • 電気関係学会東北支部連合大会実行委員会

▼全件表示

自己PR

  • (連携キーワード)

    半導体,薄膜,薄膜表面, プラズマ応用, 化学気相成長(CVD),マグネトロンスパッタ, レーザーアブレーション,ガスソース分子線エピタキシ(GSMBE),カーボン系薄膜, ダイヤモンドライクカーボン(DLC),シリコンカーバイド(SiC),グラフェン

    (研究概要)

    ○  半導体およびその他薄膜の成膜プロセスおよび成膜機構に関する研究. 特にプラズマ化学気相成長(CVD)、マグネトロンスパッタ, レーザーアブレーションなどを用いたダイヤモンドライクカーボン(DLC),シリコンカーバイド(SiC),グラフェンの成膜およびその微視的な成膜機構に関する研究.
    ○  半導体およびその他薄膜の構造・組成・化学結合状態・電子状態と物性値との関連性を明らかにするための実験的研究.

    (協力できる内容)

    ・ 半導体およびカーボン系薄膜作製技術と評価技術について

    (PR)

    半導体材料およびカーボン系材料の薄膜作製・評価技術に関するご相談ください.

論文

  • Effects of annealing temperature on the mechanical, optical, and electrical properties of hydrogenated, nitrogen-doped diamond-like carbon films

    Hiroya Osanai, Kazuki Nakamura, Yuya Sasaki, Haruto Koriyama, Yasuyuki Kobayashi, Yoshiharu Enta, Yushi Suzuki, Maki Suemitsu, Hideki Nakazawa

    Thin Solid Films   745   139100-1 - 139100-15   2022年03月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Influence of hydrogen gas flow ratio on the properties of silicon- and nitrogen-doped diamond-like carbon films by plasma-enhanced chemical vapor deposition

    Y. Sasaki, H. Osanai, Y. Ohtani, Y. Murono, M. Sato, Y. Kobayashi, Y. Enta, Y. Suzuki, H. Nakazawa

    Diamond and Related Materials   123   108878-1 - 108878-12   2022年03月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   共著区分:共著  

  • Annealing effects on the properties of hydrogenated diamond-like carbon films doped with silicon and nitrogen

    H. Nakazawa, K. Nakamura, H. Osanai, Y. Sasaki, H. Koriyama, Y. Kobayashi, Y. Enta, S. Suzuki, M. Suemitsu

    Diamond and Related Materials   122   108809-1 - 108809-12   2022年02月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   共著区分:共著  

  • Effects of silicon doping on the chemical bonding states and properties of nitrogen-doped diamond-like carbon films by plasma-enhanced chemical vapor deposition

    K. Nakamura, H. Ohashi, Y. Enta, Y. Kobayashi, Y. Suzuki, M. Suemitsu, H. Nakazawa

    Thin Solid Films   736   138923-1 - 138923-11   2021年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • プラズマ化学気相成長法によるSi及びN添加ダイヤモンドライクカーボン膜の光学的特性および電気的特性に及ぼすH₂及びAr希釈の効果

    佐々木祐弥,長内公哉,大谷優介,室野優太,佐藤聖能,小林康之,遠田義晴,鈴木裕史,中澤日出樹

    電子情報通信学会技術報告   121 ( 220 )   23 - 28   2021年10月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)   共著区分:共著  

  • マグネトロンスパッタ法を用いて作製したBCN膜特性への水素の効果

    谷口 颯, 郡山春人, 小林康之, 遠田義晴, 吹留博一, 中澤日出樹

    電子情報通信学会技術報告   120 ( 217 )   23 - 26   2020年10月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)   共著区分:共著  

  • AlN/Si(110)基板上SiCエピタキシャル成長におけるSiC低温バッファ層の効果

    葛西大希, 奈良友奎, 中澤日出樹

    電子情報通信学会技術報告   120 ( 217 )   7 - 10   2020年10月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)   共著区分:共著  

  • Influence of the terrace width of pentacene underlayers on the crystallinity of C60 overlayers

    K. Nakata, H. Nakazawa, H. Okamoto, Y. Kobayashi

    Thin Solid Films   692   137638-1 - 137638-5   2019年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • 窒素を添加したDLC膜特性へのアニール効果

    長内公哉, 中村和樹, 郡山春人, 小林康之, 遠田義晴, 鈴木裕史, 末光眞希, 中澤日出樹

    電子情報通信学会技術報告   119 ( 217 )   9 - 14   2019年11月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)   共著区分:共著  

  • Growth of 3C-SiC(111) on AlN/off-axis Si(111) hetero-structure and formation of epitaxial graphene thereon

    S. Narita, Y. Nara, Y. Enta, H. Nakazawa

    Japanese Journal of Applied Physics   58   SIIA16-1 - SIIA16-8   2019年08月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • オフ角Si(110)基板上AlN層の形成とその上へのSiCヘテロエピタキシャル成長

    中澤日出樹, 奈良友奎, 葛西大希

    電子情報通信学会技術報告   119 ( 181 )   23 - 28   2019年08月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)   共著区分:共著  

  • Effect of a SiC seed layer grown at different temperatures on SiC film deposition on top of AlN/Si(110) substrate

    Y. Nara, H. Nakazawa

    Japanese Journal of Applied Physics   58   SIIA18-1 - SIIA18-6   2019年08月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Study on the formation mechanism of bismuth -mediated Ge nanodots fabricated by vacuum evaporation

    K. Tsushima, K. Takita, H. Nakazawa, T. Tawara, K. Tateno, G. Zhang, H. Gotoh, H. Okamoto

    Japanese Journal of Applied Physics   58   SDDG-1 - SDDG-5   2019年06月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • 炭素系薄膜の作製と評価

    中澤日出樹

    電子情報通信学会技術報告   118 ( 461 )   37 - 40   2019年02月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)   共著区分:単著  

  • ケイ素及び窒素を添加したDLC薄膜の熱的安定性

    中澤日出樹、中村和樹、長内公哉、郡山春人、小林康之、遠田義晴、鈴木裕史、末光眞希

    電子情報通信学会技術報告   118 ( 179 )   99 - 104   2018年10月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)   共著区分:共著  

  • 真空蒸着法によるBi媒介Geナノドットの形成機構の検討

    対馬和都、滝田健介、中澤日出樹、俵毅彦、舘野功太、章国強、後藤秀樹、池田高之、水野誠一郎、岡本浩

    電子情報通信学会技術報告   118 ( 179 )   21 - 24   2018年08月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)   共著区分:共著  

  • Si添加DLC薄膜への窒素添加の効果

    中村和樹、大橋遼、横山大・田島圭一郎、遠藤則史、末光眞希、遠田義晴、小林康之、鈴木裕史、中澤日出樹

    電子情報通信学会技術報告   118 ( 179 )   1 - 6   2018年08月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)   共著区分:共著  

  • SiC/AlN/Si(110)基板上グラフェンの成長

    中澤日出樹、成田舜基、奈良友奎、遠田義晴

    電子情報通信学会技術報告   118 ( 179 )   7 - 12   2018年08月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)   共著区分:共著  

  • SiC/SiCバッファ層/AlN/Si(110)多層構造におけるSiCバッファ層形成条件の検討

    奈良友奎、工藤あさひ、中澤日出樹

    電子情報通信学会技術報告   118 ( 179 )   13 - 16   2018年08月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)   共著区分:共著  

  • Impacts of substrate bias and dilution gas on the properties of Si-incorporated diamond-like carbon films by plasma deposition using organosilane as a Si source

    H. Nakazawa, S. Miura, K. Nakamura, Y. Nara

    Thin Solid Films   654   38 - 48   2018年05月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Synthesis of boron/nitrogen-incorporated diamond-like carbon films by pulsed laser deposition using nitrogen gas and a boron-containing graphite target”jointly worked"

    H. Nakazawa, R. Osozawa, Y. Mohnai, Y. Nara

    Japanese Journal of Applied Physics   56   105501-1 - 105501-7   2017年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • レーザーアブレーション法によるSiCバッファ層を用いたAlN/Si(110)基板上へのSiCエピタキシャル成長(共著)

    奈良友奎, 成田舜基, 中澤日出樹

    電子情報通信学会技術報告   117   7 - 10   2017年08月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)   共著区分:共著  

  • Effects of source gases on the properties of silicon/nitrogen-incorporated diamond-like carbon films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition"jointly worked"

    H. Nakazawa, K. Magara, T. Takami, H. Ogasawara, Y. Enta, Y. Suzuki

    Thin Solid Films   636   177 - 182   2017年08月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Formation of graphene/SiC/AlN multilayers synthesized by pulsed laser deposition on Si(110) substrates”jointly worked"

    S. Narita, K. Meguro, T. Takami, Y. Enta, H. Nakazawa

    Journal of Crystal Growth   260   27 - 36   2017年02月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Tribological properties and thermal stability of hydrogenated, silicon/nitrogen-coincorporated diamond-like carbon films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition”jointly worked"

    H. Nakazawa, S. Okuno, K. Magara, K. Nakamura, S. Miura, Y. Enta

    Japanese Journal of Applied Physics   55   125501-1 - 125501-9   2016年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Structural and electrical properties and current-voltage characterristics of nitrogen-doped diamond-like carbon films on Si substrates by plasma-enhanced chemical vapor deposition”jointly worked"

    M. Tsuchiya, K. Murakami, K. Magara, K. Nakamura, H. Ohashi, K. Tokuda, T. Takami, H. Ogasawara, Y. Enta, Y. Suzuki, S. Ando, H. Nakazawa

    Japanese Journal of Applied Physics   55   065502-1 - 065502-6   2016年06月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • レーザーアブレーション法によるAlN/Si(110)基板上へのSiC成長(共著)

    成田舜基,目黒一熙, 中澤日出樹

    電子情報通信学会技術報告   115   11 - 14   2015年08月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)   共著区分:共著  

  • 高周波プラズマ化学気相成長法による窒素添加DLC薄膜の膜特性への基板バイアスの影響(共著)

    土屋政人,村上和輝,佐藤達人,高見貴弘,遠田義晴,中澤日出樹

    電子情報通信学会技術報告   115   7 - 10   2015年08月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)   共著区分:共著  

  • レーザーアブレーション法によるAlN/Si(110)基板上SiC薄膜の作製と評価(共著)

    目黒一熙, 成田舜基, 中澤日出樹

    電子情報通信学会技術報告   115   1 - 5   2015年08月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)   共著区分:共著  

  • Relaxation of Cs atomic polarization at surface coatings characterized by X-ray photoelectron spectroscopy"jointly worked"

    K. Kushida, T. Niwano, T. Morita, T. Shimizu, K. Meguro, H. Nakazawa, A. Hatayama

    Japanese Journal of Applied Physics   54   066401-1 - 066401-5   2015年06月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Growth of silicon carbide on Si(100) substrate with an intermediate aluminum nitride layer by ultralow-pressure chemical vapor deposition using monomethylsilane"jointly worked"

    H. Nakazawa, D. Suzuki, T. Narita, K. Meguro, M. Tsuchiya

    Journal of Crystal Growth   418   52 - 56   2015年05月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Effects of frequency of pulsed substrate bias on structure and properties of silicon-doped diamond-like carbon films by plasma deposition"jointly worked"

    H. Nakazawa, R. Kmata, S. Miura, S. Okuno

    Thin Solid Films   574   93 - 98   2015年01月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Deposition of silicon-doped diamond-like carbon films by plasma-enhanced chemical vapor deposition using an intermittent supply of organosilane"jointly worked"

    H. Nakazawa, R. Kmata, S. Okuno

    Dimoand and Related Materials   51   7 - 13   2015年01月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • オフ角Si(001)基板上に形成したAlN層上へのSiCヘテロエピタキシャル成長(共著)

    目黒一熙, 成田次理, 上村駿洋, 中澤日出樹

    電子情報通信学会技術報告   114   7 - 12   2014年09月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)   共著区分:共著  

  • 高周波プラズマ化学気相成長法による窒素添加DLC薄膜の特性評価(共著)

    土屋政人, 真柄晃平, 徳田健吾, 中澤日出樹

    電子情報通信学会技術報告   114   1 - 5   2014年09月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)   共著区分:共著  

  • Formation of an interfacial buffer layer for 3C-SiC heteroepitaxy on AlN/Si substrates "jointly worked"

    K. Meguro, T. Narita, K. Noto, H. Nakazawa

    Materials Science Forum   778-780   251 - 254   2014年02月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   共著区分:共著  

  • Decomposition kinetics of silicon oxide layers on silicon substrates during annealing in vacuum "jointly worked"

    Y. Enta, T. Nagai, T. Yoshida, N. Ujiie, H. Nakazawa

    Journal of Applied Physics   114   114104-1 - 114104-4   2013年09月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Influence of duty ratio of pulsed bias on structure and properties of silicon-doped diamond-like carbon films by plasma deposition "jointly worked"

    H. Nakazawa, R. Kmata, S. Miura, S. Okuno

    Thin Solid Films   539   134 - 138   2013年07月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Surface enhanced infrared absorption spectra on pulsed laser deposited silver island films "jointly worked"

    H. Nakashima, Y. Sasaki, R. Osozawa, Y. Kon, H. Nakazawa, Y. Suzuki

    Thin Solid Films   536   166 - 171   2013年06月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Effects of pulse bias on structure and properties of silicon/nitrogen-incorporated diamond-like carbon films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition(共著)

    H. Nakazawa, S. Miura, R. Kamata, S. Okuno, M. Suemitsu, T. Abe

    Applied Surface Science   264   625 - 632   2013年01月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Formation of Ge Nanodots Capped with SiC Layer by Gas-Source MBE Using MMGe and MMSi(共著)

    K. Yasui, Y. Anezaki, K. Sato, A. Kato, T. Kato, M. Suemitsu, Y. Narita, H. Nakazawa

    ECS Transactions   50   171 - 177   2012年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   共著区分:共著  

  • ガスソースMBEによるSi上の高密度Geナノドットの作製と発光特性(共著)

    姉崎 豊,佐藤 魁,加藤孝弘,加藤有行,豊田英之,末光真希,中澤日出樹,成田 克,安井寛治

    電子情報通信学会技術報告   112   97 - 100   2012年10月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)   共著区分:共著  

  • Si基板上へのAlN層の形成およびSi/AlN上への3C-SiC成長(共著)

    中澤日出樹,鈴木大樹,成田次理,山本陽平

    電子情報通信学会技術報告   112   39 - 44   2012年10月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)   共著区分:共著  

  • Si(100)基板/AlN中間層上への3C-SiCヘテロエピタキシャル成長(共著)

    中澤日出樹,鈴木大樹,成田次理,山本陽平

    電子情報通信学会技術報告   112   5 - 10   2012年08月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)   共著区分:共著  

  • ガスソースMBE法による高密度Geナノドット/SiC積層構造の作製とその発光特性(共著)

    姉崎 豊,佐藤 魁,加藤孝弘,加藤有行,末光真希,中澤日出樹,成田 克,安井寛治

    電子情報通信学会技術報告   112   11 - 15   2012年08月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)   共著区分:共著  

  • 有機金属化合物を用いたSiC/Geナノドット積層構造の作製(共著)

    姉崎豊,大谷孝史,須藤晴紀,加藤孝弘,加藤有行,末光眞希,成田克,中澤日出樹,安井寛治

    表面科学   33   376 - 381   2012年07月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Hydrogen Effects of the Properties of Silicon/Nitrogen-Coincorporated Diamond-Like Carbon Films Prepared by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition(共著)

    H. Nakazawa, S. Okuno, S. Miura, R. Kamata

    Japanese Journal of Applied Physics   51   075801-1 - 075801-7   2012年07月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Characteristics of Silicon/Nitrogen-Coincorporated Diamond-Like Carbon Films Prepared by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition(共著)

    H. Nakazawa, S. Miura, R. Kamata, S. Okuno, Y. Enta, M. Suemitsu, T. Abe

    Japanese Journal of Applied Physics   51   015603-1 - 015603-7   2012年01月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Temperature dependence of the optical gap of diamond-like carbon films investigated by a piezoelectric photothermal spectroscopy(共著)

    W. Ding, Y. Nakano, R. Yamamoto, K. Sakai, H. Nakazawa, A. Fukuyama, T. Ikari

    Energy Procedia   10   66 - 70   2011年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   共著区分:共著  

  • レーザーアブレーション法によるAlN成長のSi基板面方位依存性(共著)

    鈴木大樹,熊谷知貴,中澤日出樹

    電子情報通信学会技術報告   CPM111   1 - 6   2011年08月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)   共著区分:共著  

  • プラズマCVD法によるSiおよびN同時添加DLC膜特性に対する水素の影響(共著)

    奥野さおり,三浦創史,鎌田亮輔,中澤日出樹

    電子情報通信学会技術報告   CPM111   31 - 36   2011年08月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)   共著区分:共著  

  • SiC層中に埋め込まれたGe・SiCドットの発光特性(共著)

    大谷孝史,姉崎 豊,浅野 翔,加藤有行,成田 克,中澤日出樹,加藤孝弘,安井寛治

    電子情報通信学会技術報告   CPM111   15 - 20   2011年08月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)   共著区分:共著  

  • レーザーアブレーション法によるDLC膜特性に及ぼすB、N添加の影響(共著)

    毛内裕介,遅澤遼一,中澤日出樹

    電子情報通信学会技術報告   CPM111   37 - 42   2011年08月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)   共著区分:共著  

  • Effects of hydrogen on the properties of Si-incorporated diamond-like carbon films prepared by pulsed laser deposition(共著)

    H. Nakazawa, R. Osozawa,T. Okuzaki, N. Sato, M. Suemitsu, T. Abe

    Diamond and Related Materials   20   485 - 491   2011年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   共著区分:共著  

  • Changes in chemical bonding of diamond-like carbon films by atomic-hydrogen exposure(共著)

    H. Nakazawa, R. Osozawa, Y. Enta, M. Suemitsu

    Dimoand and Related Materials   19   1387 - 1392   2010年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化(共著)

    永田一樹, 里本宗一, 片桐裕則, 神保和夫, 末光眞希, 遠藤哲郎, 伊藤 隆, 中澤日出樹, 成田 克, 安井寛治

    電子情報通信学会技術報告   CPM110   55 - 58   2010年10月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)   共著区分:共著  

  • レーザーアブレーション法によるSi基板上AlN薄膜の形成(共著)

    中澤日出樹, 鈴木大樹, 遲澤遼一, 岡本 浩

    電子情報通信学会技術報告   CPM110   39 - 44   2010年07月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)   共著区分:共著  

  • Silicon thermal oxidation and its thermal deposition investigated by Si 2p core-level photoemission(共著)

    Y. Enta, H. Nakazawa, S. Sato, H. Kato, Y. Sakisaka

    Journal of Physics   235   012008-1 - 012008-6   2010年06月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   共著区分:共著  

  • Mechanical and tribological properties of boron, nitrogen-coincorporated diamond-like carbon films prepared by reactive radio-frequency magnetron Sputtering(共著)

    H. Nakazawa, A. Sudoh, M. Suemitsu, K. Yasui, T. Itoh, T. Endoh, Y. Narita, M. Mashita

    Diamond and Related Materials   19   503 - 506   2010年05月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   共著区分:共著  

  • Effects of Silicon Source Gas and Substrate Bias on the Film Properties of Si-Incorporated Diamond-Like Carbon by Radio- Frequency Plasma-Enhanced Chemical Va-por Deposition(共著)

    H. Nakazawa, T. Kinoshita, Y. Kaimori, Y. Asai, M. Suemitsu, T. Abe, K. Yasui, T. Endoh, T. Itoh, Y. Narita, Y. Enta, M. Mashita

    Japanese Journal of Applied Physics   48   116002-1 - 116002-8   2009年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • 有機シランを用いたプラズマCVD法によるダイヤモンドライクカーボン薄膜の膜特性評価(共著)

    三浦創史,中澤日出樹,西崎圭太,末光眞希,安井寛治,伊藤 隆,遠藤哲郎,成田 克

    電子情報通信学会技術報告   CPM109   13 - 18   2009年08月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)   共著区分:共著  

  • 間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長(共著)

    齋藤 健,永田一樹,末光眞希,遠藤哲郎,伊藤 隆,中澤日出樹,成田 克,高田雅介,赤羽正志,安井寛治

    電子情報通信学会技術報告   CPM109   61 - 66   2009年08月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)   共著区分:共著  

  • 原子状水素照射によるダイヤモンドライクカーボン膜の化学結合状態の変化(共著)

    遲澤遼一,中澤日出樹,奥崎知秀,佐藤直之,遠田義晴,末光眞希

    電子情報通信学会技術報告   CPM109   19 - 24   2009年08月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)   共著区分:共著  

  • Epitaxial Growth of GaN Films by Pulse-Mode Hot-Mesh Chemical Vapor Deposition (共著)

    Y. Komae, K. Yasui, M. Suemitsu, T. Endoh, T. Ito, H. Nakazawa, Y. Narita, M. Takata, T. Akahane

    Japanese Journal of Applied Physics   48   076509-1 - 076509-5   2009年07月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Atomic hydrogen etching of silicon-incorporated diamond- like carbon films prepared by pulsed laser deposition(共著)

    H. Nakazawa, H. Sugita, Y. Enta, M. Suemitsu, K. Yasui, T. Itoh, T. Endoh, Y. Narita, M. Mashita

    Diamond and Related Materials   18   831 - 834   2009年06月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   共著区分:共著  

  • The growth of GaN films by alternate source gas supply hot-mesh CVD method (共著)

    Y. Komae, T. Saitou, M. Suemitsu, T. Ito, T. Endoh, H. Nakazawa, Y. Narita, M. Takata, T. Akahane, K. Yasui

    Thin Solid Films   517   3528 - 3531   2009年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   共著区分:共著  

  • Raman-Scattering Spectroscopy of Epitaxial Graphene Formed on SiC Film on Si Substrate(共著)

    Y. Miyamoto, H. Handa, E. Saito, A. Konno, Y. Narita, M. Suemitsu, H. Fukidome, T. Ito, K. Yasui, H. Nakazawa, T. Endoh

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology   7   107 - 109   2009年02月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Thin-Film Deposition of Silicon-Incorporated Diamond-Like Carbon by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Using Monomethylsilane as a Silicon Source(共著)

    H. Nakazawa, Y. Asai, T. Kinoshita, M. Suemitsu, T. Abe, K. Yasui, T. Itoh, T. Endoh, Y. Narita, A. Konno, Y. Enta, M. Mashita

    Japanese Journal of Applied Physics   47   8491 - 8497   2008年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長(共著)

    小前泰彰, 齋藤 健, 末光眞希, 伊藤 隆, 遠藤哲郎, 中澤日出樹, 成田 克, 高田雅介, 安井寛治, 赤羽正志

    電子情報通信学会技術報告   108   7 - 12   2008年10月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)   共著区分:共著  

  • “Temperature oscillation” as a real-time monitoring of the growth of 3C–SiC on Si substrate(共著)

    E. Saito, A. Konno, T. Ito, K. Yasui, H. Nakazawa, T. Endoh, Y. Narita, M. Suemitsu

    Applied Surface Science   254   6235 - 6237   2008年07月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   共著区分:共著  

  • Growth of GaN on SiC/Si substrates using AlN buffer layer by hot-mesh CVD (共著)

    K. Tamura, Y. Kuroki, K. Yasui, M. Suemitsu, T. Itoh, T. Endoh, H. Nakazawa, Y. Narita, M. Takata, T. Akahane

    Thin Solid Films   516   659 - 662   2008年01月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   共著区分:共著  

  • Growth of GaN films by hot-mesh chemical vapor deposition using ruthenium coated tungsten mesh (共著)

    Y. Fukada, K. Yasui, Y. Kuroki, M. Suemitsu, T. Itoh, T. Endoh, H. Nakazawa, Y. Narita, M. Takata, T. Akahane

    Japanese Journal of Applied Physics   47   573 - 576   2008年01月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Effects of substrate bias voltage on structural, mechanical and tribological properties of diamond-like carbon films prepared plasma-enhanced chemical vapor deposition using methane and argon gases(共著)

    H. Nakazawa, S. Kato, Y. Asai, M. Mashita

    Japanese Journal of Applied Physics   47   231 - 236   2008年01月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Comparison of film properties between hydrogenated and unhydrogenated diamond-like carbon films prepared by radio-frequency magnetron sputtering "jointly worked"

    H. Nakazawa, M. Kudo, M. Mashita

    Japanese Journal of Applied Physics   46   7816 - 7823   2007年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • ホットメッシュCVD法によるGaN成長-ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果- (共著)

    深田祐介,安部和貴,黒木雄一郎,末光眞希,伊藤 隆,成田 克,遠藤哲郎,中澤日出樹,高田雅介,安井寛治,赤羽正志

    信学技報   2007年11月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)   共著区分:共著  

  • Structural changes of diamond-like carbon films due to atomic hydrogen exposure during annealing "jointly worked"

    H. Nakazawa, T. Kawabata, M. Kudo, M. Mashita

    Applied Surface Science   253   4188 - 4196   2007年02月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Hydrogen-Controlled Crystallinity of 3C-SiC Film on Si(001) Grown with Monomethylsilane "jointly worked"

    Y. Narita, A. Konno, H. Nakazawa, T. Itoh, K. Yasui, T. Endoh, M. Suemitsu

    Japanese Journal of Applied Physics   46   L40 - L42   2007年01月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Low-temperature heteroepitaxial growth of 3C-SiC(111) on Si(110) substrate using monomethylsilane "jointly worked"

    A. Konno, Y. Narita, T. Itoh,K. Yasui, H. Nakazawa, T. Endoh, M. Suemitsu

    ECS Transactions   3   449 - 455   2006年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   共著区分:共著  

  • Effects of hydrogen on film properties of diamond-like carbon films prepared by reactive radio-frequency magnetron sputtering using hydrogen gas "jointly worked"

    T. Mikami, H. Nakazawa,M. Kudo, M. Mashita

    Thin Solid Films   488   87 - 92   2005年09月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Thermal effects on structural properties of diamond-like carbon films prepared by pulsed laser deposition "jointly worked"

    H. Nakazawa, Y. Yamagata, M. Suemitsu, M. Mashita

    Thin Solid Films   467   98 - 103   2004年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Adsorption kinetics of dimethylsilane at Si(001)

    K. Senthil, H. Nakazawa, M. Suemitsu

    Applied Surface Science   224   183 - 187   2004年03月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   共著区分:共著  

  • Adsorption and desorption kinetics of organosilanes at Si(001) surfaces "jointly worked"

    K. Senthil, H. Nakazawa, M. Suemitsu

    Japanese Journal of Applied Physics   42   6804 - 6808   2003年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • 高周波マグネトロンスパッタリング法により作製したダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜の構造と熱的安定性(共著)

    三上尊正、中澤日出樹、遠田義晴、 末光眞希、真下正夫

    表面科学   24   411 - 416   2003年07月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Photoluminescence from Ultrathin InAs/GaAs Single Quantum Wells Grown on GaAs(111)A Substrates "jointly worked"

    M. Mashita, T. Numata,H. Nakazawa, Y. Kajikawa,B. H. Koo, H. Makino,T. Yao

    Japanese Journal of Applied Physics   42   L807 - L809   2003年07月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • 有機シランガスを用いたSi基板上シングルドメインSiC薄膜の形成メカニズム(共著)

    中澤日出樹, 末光眞希, 真下正夫

    表面科学   24   429 - 433   2003年07月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Structure, Chemical bonding and These Thermal Stabilities of Diamond-Like Carbon (DLC) Films by RF Magnetron Sputtering "jointly worked"

    H. Nakazawa, T. Mikami,Y. Enta, M. Suemitsu,M. Mashita

    Japanese Journal of Applied Physics   42   L676 - L679   2003年06月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Formation of quasi-single-domain 3C-SiC on nominally on-axis Si(001) substrate using organosilane buffer layer "jointly worked"

    H. Nakazawa, M. Suemitsu

    Journal of Applied Physics   93   5282 - 5286   2003年05月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Formation of extremely thin, quasi-single-domain 3C-SiC film on resistively heated on-axis Si(001) substrate using organosilane buffer layer"jointly worked"

    H. Nakazawa, M. Suemitsu

    Materials Science Forum   389-393   351 - 354   2002年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   共著区分:共著  

  • Role of adsorption kinetics in the low-temperature Si growth by gas-source molecular beam epitaxy: in situ observations and detailed modeling of the growth”jointly worked"

    T. Murata, H. Nakazawa, Y. Tsukidate, M. Suemitsu

    Applied Physics Letters   79   746 - 748   2001年08月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Low-temperature formation of an interfacial buffer layer using monomethylsilane for 3C-SiC/Si(100) heteroepitaxy”jointly worked"

    H. Nakazawa, M. Suemitsu

    Applied Physics Letters   79   755 - 757   2001年08月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Role of hydrogen preparing in the hydrogen desorption kinetics from Si(100)-2x1: effects of hydrogenation-gas and thermal history”jointly worked"

    H. Nakazawa, M. Suemitsu, N. Miyamoto

    Surface Science   465   177 - 185   2000年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Dissociative adsorption of monomethylsilane on Si(100) as revealed by comparative temperature-programmed-desorption studies on H/, C2H2/, and MMS/Si(100) "jointly worked"

    H. Nakazawa, M. Suemitsu

    Applied Surface Science   162-163   139 - 145   2000年08月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   共著区分:共著  

  • Gas-Source MBE of SiC/Si using monomethylsilane"jointly worked"

    H. Nakazawa, M. Suemitsu, S. Asami

    Thin Solid Films   369   269 - 272   2000年07月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   共著区分:共著  

  • Formation of high quality SiC on Si(100) at 900ºC using monomethylsilane gas-source MBE

    H. Nakazawa, M. Suemitsu

    Materials Science Forum   338-342   269 - 272   2000年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   共著区分:共著  

  • Si系ガスソースMBEに関する研究

    中澤日出樹

    1999年03月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:学位論文(博士)   共著区分:単著  

  • Higher-order desorption kinetics of hydrogen from silane/, disilane/, and D/Si(100)

    H. Nakazawa, M. Suemitsu, S. Asami

    Applied Surface Science   130-132   298 - 303   1998年06月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   共著区分:共著  

  • Effects of surface phosphorus on the kinetics of hydrogen desorption from silane adsorbed Si(100) surface at room temperatures

    M. Suemitsu, Y. Tsukidate, H. Nakazawa, Y. Enta

    Journal of Vacuum Sicence and Technology A   16   1772 - 1774   1998年05月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Effect of Adsorption Kinetics on the Low-Temperature Growth-Rate Activation Energy in Si Gas-Source Molecular Beam Epitaxy

    H. Nakazawa, M. Suemitsu, N. Miyamoto

    Japanese Journal of Applied Physics Part2   36   L703 - L704   1997年06月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Observation of Hydrogen-Coverage- and Temperature-Dependent Adsorption Kinetics of Disilane on Si(100) during Si Gas-Source Molecular Beam Epitaxy

    M. Suemitsu, H. Nakazawa,T. Morita, N. Miyamoto

    Japanese Journal of Applied Physics Part2   35   L625 - L628   1997年05月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • A model for the temperature-dependent adsorption kinetics of SiH4 on Si(100)

    M. Suemitsu, K.J. Kim, H. Nakazawa, N. Miyamoto

    Applied Surface Science   107   81 - 84   1996年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   共著区分:共著  

  • H2-TPD study on the difference in the growth kinetics between SiH4- and Si2H6-GSMBE

    H. Nakazawa, M. Suemitsu, N. Miyamoto

    Surface Science   357-358   555 - 559   1996年06月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   共著区分:共著  

  • SiガスソースMBEにおける水素吸着脱離過程に関する研究

    中澤日出樹

    1996年03月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   共著区分:単著  

  • Temperature-programmed-desorption study of the process of atomic deuterium adsorption onto Si(100)2x1

    M. Suemitsu, H. Nakazawa, N. Miyamoto

    Applied Surface Science   82-83   449 - 453   1994年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   共著区分:共著  

▼全件表示

書籍等出版物

  • 気泡・ボイドの発生メカニズムと未然防止・除去技術

    中澤日出樹他( 担当: 共著)

    技術情報協会  2014年2月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語 著書種別:学術書

  • 基礎物理学実験の手引き (共著)第5版

    川口節雄, 岡崎禎子, 道上宗巳, 宮永崇史, 市村雅一, 中島伸夫, 小豆畑敬, 中島健介, 中澤日出樹,佐藤裕之,齋藤玄敏( 担当: 共著)

    弘前大学出版会  2010年9月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語 著書種別:教科書・概説・概論

  • 基礎物理学実験の手引き (共著)第4版

    川口節雄, 岡崎禎子, 道上宗巳, 宮永崇史, 市村雅一, 中島伸夫, 小豆畑敬, 中島健介, 中澤日出樹,佐藤裕之,齋藤玄敏( 担当: 共著)

    弘前大学出版会  2009年9月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語 著書種別:教科書・概説・概論

  • 基礎物理学実験の手引き (共著)第3版

    川口節雄, 岡崎禎子, 道上宗巳, 宮永崇史, 市村雅一, 中島伸夫, 小豆畑敬, 中島健介, 中澤日出樹,佐藤裕之,齋藤玄敏( 担当: 共著)

    弘前大学出版会  2008年10月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語 著書種別:教科書・概説・概論

  • 基礎物理学実験の手引き (共著)第2版

    川口節雄, 岡崎禎子, 道上宗巳, 宮永崇史, 市村雅一, 中島伸夫, 小豆畑敬, 中島健介, 中澤日出樹,佐藤裕之,齋藤玄敏( 担当: 共著)

    弘前大学出版会  2007年9月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語 著書種別:教科書・概説・概論

  • 基礎物理学実験の手引き (共著)第1版

    川口節雄, 岡崎禎子, 道上宗巳, 宮永崇史, 市村雅一, 中島伸夫, 小豆畑敬, 中島健介, 中澤日出樹( 担当: 共著)

    弘前大学出版会  2007年3月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語 著書種別:教科書・概説・概論

▼全件表示

受賞

  • 応用物理学会東北支部特別賞

    2018年12月

  • 日本表面科学会論文賞

    2011年12月

担当授業科目(学内)

  • 2021年度年度,化学概論,専門教育科目(学部)

  • 2021年度年度,卒業研究,専門教育科目(学部)

  • 2021年度年度,科学技術英語,専門教育科目(学部)

  • 2021年度年度,量子・デバイス工学基礎,専門教育科目(学部)

  • 2021年度年度,電子情報工学実験Ⅳ,専門教育科目(学部)

  • 2021年度年度,電子情報工学最先端,専門教育科目(学部)

  • 2021年度年度,電子情報工学概論,専門教育科目(学部)

  • 2021年度年度,電子情報工学演習A,専門教育科目(学部)

  • 2021年度年度,電子情報工学演習B,専門教育科目(学部)

  • 2021年度年度,電子物性・材料Ⅰ,専門教育科目(学部)

  • 2021年度年度,電子物性・材料Ⅱ,専門教育科目(学部)

  • 2021年度年度,理工学特別演習A,修士課程・博士前期課程

  • 2021年度年度,理工学特別演習B,修士課程・博士前期課程

  • 2021年度年度,理工学特別研究A,修士課程・博士前期課程

  • 2021年度年度,理工学特別研究B,修士課程・博士前期課程

  • 2021年度年度,薄膜電子工学特論,修士課程・博士前期課程

  • 2021年度年度,電子情報工学特別研究A,修士課程・博士前期課程

  • 2021年度年度,電子情報工学特別研究B,修士課程・博士前期課程

  • 2021年度年度,電子情報工学特別講義,修士課程・博士前期課程

  • 2020年度年度,化学の基礎Ⅱ(A),21世紀教育科目

  • 2020年度年度,化学概論,専門教育科目(学部)

  • 2020年度年度,科学技術英語,専門教育科目(学部)

  • 2020年度年度,電子情報工学実験Ⅳ,専門教育科目(学部)

  • 2020年度年度,電子情報工学最先端,専門教育科目(学部)

  • 2020年度年度,電子情報工学概論,専門教育科目(学部)

  • 2020年度年度,電子情報工学演習A,専門教育科目(学部)

  • 2020年度年度,電子情報工学演習B,専門教育科目(学部)

  • 2020年度年度,電子物性・材料Ⅰ,専門教育科目(学部)

  • 2020年度年度,電子物性・材料Ⅱ,専門教育科目(学部)

  • 2020年度年度,理工学特別演習A,修士課程・博士前期課程

  • 2020年度年度,理工学特別演習B,修士課程・博士前期課程

  • 2020年度年度,理工学特別研究A,修士課程・博士前期課程

  • 2020年度年度,理工学特別研究B,修士課程・博士前期課程

  • 2020年度年度,薄膜電子工学特論,修士課程・博士前期課程

  • 2020年度年度,電子情報工学特別研究A,修士課程・博士前期課程

  • 2020年度年度,電子情報工学特別研究B,修士課程・博士前期課程

  • 2020年度年度,電子情報工学特別講義,修士課程・博士前期課程

  • 2019年度年度,化学の基礎ⅡA,21世紀教育科目

  • 2019年度年度,化学概論,専門教育科目(学部)

  • 2019年度年度,卒業研究,専門教育科目(学部)

  • 2019年度年度,科学技術英語,専門教育科目(学部)

  • 2019年度年度,電子情報工学実験Ⅳ,専門教育科目(学部)

  • 2019年度年度,電子情報工学最先端,専門教育科目(学部)

  • 2019年度年度,電子情報工学概論,専門教育科目(学部)

  • 2019年度年度,電子情報工学演習A,専門教育科目(学部)

  • 2019年度年度,電子情報工学演習B,専門教育科目(学部)

  • 2019年度年度,電子物性・材料Ⅰ,専門教育科目(学部)

  • 2019年度年度,電子物性・材料Ⅱ,専門教育科目(学部)

  • 2019年度年度,理工学特別演習A,修士課程・博士前期課程

  • 2019年度年度,理工学特別演習B,修士課程・博士前期課程

  • 2019年度年度,理工学特別研究A,修士課程・博士前期課程

  • 2019年度年度,理工学特別研究B,修士課程・博士前期課程

  • 2019年度年度,薄膜電子工学特論,修士課程・博士前期課程

  • 2019年度年度,電子情報工学特別研究A,修士課程・博士前期課程

  • 2019年度年度,電子情報工学特別研究B,修士課程・博士前期課程

  • 2019年度年度,電子情報工学特別講義,修士課程・博士前期課程

  • 2019年度年度,基礎ゼミナール,教養教育科目

  • 2018年度年度,化学の基礎Ⅱ(A),21世紀教育科目

  • 2018年度年度,化学概論,専門教育科目(学部)

  • 2018年度年度,科学技術英語,専門教育科目(学部)

  • 2018年度年度,電子情報工学実験Ⅳ,専門教育科目(学部)

  • 2018年度年度,電子情報工学最先端,専門教育科目(学部)

  • 2018年度年度,電子情報工学演習A,専門教育科目(学部)

  • 2018年度年度,電子情報工学演習B,専門教育科目(学部)

  • 2018年度年度,電子情報工学英語演習,専門教育科目(学部)

  • 2018年度年度,電子物性・材料Ⅰ,専門教育科目(学部)

  • 2018年度年度,電子物性・材料Ⅱ,専門教育科目(学部)

  • 2018年度年度,薄膜電子工学特論,修士課程・博士前期課程

  • 2018年度年度,電子情報工学特別講義,修士課程・博士前期課程

  • 2017年度年度,化学の基礎Ⅱ(A),21世紀教育科目

  • 2017年度年度,化学概論,専門教育科目(学部)

  • 2017年度年度,卒業研究,専門教育科目(学部)

  • 2017年度年度,電子情報工学全体講義,専門教育科目(学部)

  • 2017年度年度,電子情報工学実験Ⅳ,専門教育科目(学部)

  • 2017年度年度,電子情報工学概論,専門教育科目(学部)

  • 2017年度年度,電子情報工学演習A,専門教育科目(学部)

  • 2017年度年度,電子情報工学演習B,専門教育科目(学部)

  • 2017年度年度,電子情報工学英語演習,専門教育科目(学部)

  • 2017年度年度,電子物性・材料Ⅰ,専門教育科目(学部)

  • 2017年度年度,電子物性・材料Ⅱ,専門教育科目(学部)

  • 2017年度年度,電気回路演習,専門教育科目(学部)

  • 2017年度年度,理工学特別演習A,修士課程・博士前期課程

  • 2017年度年度,理工学特別演習B,修士課程・博士前期課程

  • 2017年度年度,理工学特別研究A,修士課程・博士前期課程

  • 2017年度年度,理工学特別研究B,修士課程・博士前期課程

  • 2017年度年度,薄膜電子工学特論,修士課程・博士前期課程

  • 2017年度年度,電子情報工学特別研究A,修士課程・博士前期課程

  • 2017年度年度,電子情報工学特別研究B,修士課程・博士前期課程

  • 2017年度年度,電子情報工学特別講義,修士課程・博士前期課程

  • 2016年度年度,化学の基礎Ⅱ(A),21世紀教育科目

  • 2016年度年度,化学概論,専門教育科目(学部)

  • 2016年度年度,卒業研究,専門教育科目(学部)

  • 2016年度年度,電子情報工学全体講義,専門教育科目(学部)

  • 2016年度年度,電子情報工学実験Ⅳ,専門教育科目(学部)

  • 2016年度年度,電子情報工学概論,専門教育科目(学部)

  • 2016年度年度,電子情報工学演習A,専門教育科目(学部)

  • 2016年度年度,電子情報工学演習B,専門教育科目(学部)

  • 2016年度年度,電子情報工学英語演習,専門教育科目(学部)

  • 2016年度年度,電子物性・材料Ⅰ,専門教育科目(学部)

  • 2016年度年度,電子物性・材料Ⅱ,専門教育科目(学部)

  • 2016年度年度,電気回路演習,専門教育科目(学部)

  • 2016年度年度,理工学特別演習A,修士課程・博士前期課程

  • 2016年度年度,理工学特別演習B,修士課程・博士前期課程

  • 2016年度年度,理工学特別研究A,修士課程・博士前期課程

  • 2016年度年度,理工学特別研究B,修士課程・博士前期課程

  • 2016年度年度,薄膜電子工学特論,修士課程・博士前期課程

  • 2016年度年度,電子情報工学特別研究A,修士課程・博士前期課程

  • 2016年度年度,電子情報工学特別研究B,修士課程・博士前期課程

  • 2016年度年度,電子情報工学特別講義,修士課程・博士前期課程

  • 2015年度年度,化学の基礎Ⅱ(A),21世紀教育科目

  • 2015年度年度,基礎ゼミナール,21世紀教育科目

  • 2015年度年度,卒業研究,専門教育科目(学部)

  • 2015年度年度,電子情報工学全体講義,専門教育科目(学部)

  • 2015年度年度,電子情報工学大系,専門教育科目(学部)

  • 2015年度年度,電子情報工学実験Ⅰ,専門教育科目(学部)

  • 2015年度年度,電子情報工学実験Ⅱ,専門教育科目(学部)

  • 2015年度年度,電子情報工学実験Ⅲ,専門教育科目(学部)

  • 2015年度年度,電子情報工学実験Ⅳ,専門教育科目(学部)

  • 2015年度年度,電子情報工学演習A,専門教育科目(学部)

  • 2015年度年度,電子情報工学演習B,専門教育科目(学部)

  • 2015年度年度,電子情報工学英語演習,専門教育科目(学部)

  • 2015年度年度,電子物性・材料Ⅰ,専門教育科目(学部)

  • 2015年度年度,電子物性・材料Ⅱ,専門教育科目(学部)

  • 2015年度年度,理工学特別演習A,修士課程・博士前期課程

  • 2015年度年度,理工学特別演習B,修士課程・博士前期課程

  • 2015年度年度,理工学特別研究A,修士課程・博士前期課程

  • 2015年度年度,理工学特別研究B,修士課程・博士前期課程

  • 2015年度年度,薄膜電子工学特論,修士課程・博士前期課程

  • 2015年度年度,電子情報工学特別研究A,修士課程・博士前期課程

  • 2015年度年度,電子情報工学特別研究B,修士課程・博士前期課程

  • 2015年度年度,電子情報工学特別講義,修士課程・博士前期課程

  • 2014年度年度,化学の基礎Ⅱ(A),21世紀教育科目

  • 2014年度年度,卒業研究,専門教育科目(学部)

  • 2014年度年度,電子情報工学全体講義,専門教育科目(学部)

  • 2014年度年度,電子情報工学大系,専門教育科目(学部)

  • 2014年度年度,電子情報工学実験Ⅰ,専門教育科目(学部)

  • 2014年度年度,電子情報工学実験Ⅱ,専門教育科目(学部)

  • 2014年度年度,電子情報工学実験Ⅲ,専門教育科目(学部)

  • 2014年度年度,電子情報工学実験Ⅳ,専門教育科目(学部)

  • 2014年度年度,電子情報工学演習A,専門教育科目(学部)

  • 2014年度年度,電子情報工学演習B,専門教育科目(学部)

  • 2014年度年度,電子情報工学英語演習,専門教育科目(学部)

  • 2014年度年度,電子物性・材料Ⅰ,専門教育科目(学部)

  • 2014年度年度,電子物性・材料Ⅱ,専門教育科目(学部)

  • 2014年度年度,理工学特別演習A,修士課程・博士前期課程

  • 2014年度年度,理工学特別演習B,修士課程・博士前期課程

  • 2014年度年度,理工学特別研究A,修士課程・博士前期課程

  • 2014年度年度,理工学特別研究B,修士課程・博士前期課程

  • 2014年度年度,薄膜電子工学特論,修士課程・博士前期課程

  • 2014年度年度,電子情報工学特別研究A,修士課程・博士前期課程

  • 2014年度年度,電子情報工学特別研究B,修士課程・博士前期課程

  • 2014年度年度,電子情報工学特別講義,修士課程・博士前期課程

  • 2013年度年度,化学の基礎Ⅱ(A),21世紀教育科目

  • 2013年度年度,卒業研究,専門教育科目(学部)

  • 2013年度年度,電子情報工学全体講義,専門教育科目(学部)

  • 2013年度年度,電子情報工学大系,専門教育科目(学部)

  • 2013年度年度,電子情報工学実験Ⅰ,専門教育科目(学部)

  • 2013年度年度,電子情報工学実験Ⅱ,専門教育科目(学部)

  • 2013年度年度,電子情報工学実験Ⅲ,専門教育科目(学部)

  • 2013年度年度,電子情報工学実験Ⅳ,専門教育科目(学部)

  • 2013年度年度,電子情報工学演習A,専門教育科目(学部)

  • 2013年度年度,電子情報工学演習B,専門教育科目(学部)

  • 2013年度年度,電子情報工学英語演習,専門教育科目(学部)

  • 2013年度年度,電子物性・材料Ⅰ,専門教育科目(学部)

  • 2013年度年度,電子物性・材料Ⅱ,専門教育科目(学部)

  • 2013年度年度,理工学特別演習A,修士課程・博士前期課程

  • 2013年度年度,理工学特別演習B,修士課程・博士前期課程

  • 2013年度年度,理工学特別研究A,修士課程・博士前期課程

  • 2013年度年度,理工学特別研究B,修士課程・博士前期課程

  • 2013年度年度,薄膜電子工学特論,修士課程・博士前期課程

  • 2013年度年度,電子情報工学特別研究A,修士課程・博士前期課程

  • 2013年度年度,電子情報工学特別研究B,修士課程・博士前期課程

  • 2013年度年度,電子情報工学特別講義,修士課程・博士前期課程

  • 2012年度年度,化学の基礎Ⅱ(A),21世紀教育科目

  • 2012年度年度,卒業研究,専門教育科目(学部)

  • 2012年度年度,電子情報工学全体講義,専門教育科目(学部)

  • 2012年度年度,電子情報工学大系,専門教育科目(学部)

  • 2012年度年度,電子情報工学実験Ⅰ,専門教育科目(学部)

  • 2012年度年度,電子情報工学実験Ⅱ,専門教育科目(学部)

  • 2012年度年度,電子情報工学実験Ⅲ,専門教育科目(学部)

  • 2012年度年度,電子情報工学実験Ⅳ,専門教育科目(学部)

  • 2012年度年度,電子情報工学演習A,専門教育科目(学部)

  • 2012年度年度,電子情報工学演習B,専門教育科目(学部)

  • 2012年度年度,電子情報工学英語演習,専門教育科目(学部)

  • 2012年度年度,電子物性・材料Ⅰ,専門教育科目(学部)

  • 2012年度年度,電子物性・材料Ⅱ,専門教育科目(学部)

  • 2012年度年度,理工学特別演習A,修士課程・博士前期課程

  • 2012年度年度,理工学特別演習B,修士課程・博士前期課程

  • 2012年度年度,理工学特別研究A,修士課程・博士前期課程

  • 2012年度年度,理工学特別研究B,修士課程・博士前期課程

  • 2012年度年度,薄膜電子工学特論,修士課程・博士前期課程

  • 2012年度年度,電子情報工学特別研究A,修士課程・博士前期課程

  • 2012年度年度,電子情報工学特別研究B,修士課程・博士前期課程

  • 2012年度年度,電子情報工学特別講義,修士課程・博士前期課程

  • 2012年度年度,半導体材料プロセス工学特論,博士一貫課程・博士後期課程

  • 2011年度年度,化学の基礎Ⅱ(A),21世紀教育科目

  • 2011年度年度,基礎ゼミナール,21世紀教育科目

  • 2011年度年度,卒業研究,専門教育科目(学部)

  • 2011年度年度,電子情報工学大系,専門教育科目(学部)

  • 2011年度年度,電子情報工学実験Ⅰ,専門教育科目(学部)

  • 2011年度年度,電子情報工学実験Ⅱ,専門教育科目(学部)

  • 2011年度年度,電子情報工学実験Ⅲ,専門教育科目(学部)

  • 2011年度年度,電子情報工学実験Ⅳ,専門教育科目(学部)

  • 2011年度年度,電子情報工学研修Ⅰ,専門教育科目(学部)

  • 2011年度年度,電子情報工学研修Ⅱ,専門教育科目(学部)

  • 2011年度年度,電気・電子材料,専門教育科目(学部)

  • 2011年度年度,電気回路,専門教育科目(学部)

  • 2011年度年度,電気回路演習,専門教育科目(学部)

  • 2011年度年度,センサー特論,修士課程・博士前期課程

  • 2011年度年度,理工学特別演習A,修士課程・博士前期課程

  • 2011年度年度,理工学特別演習B,修士課程・博士前期課程

  • 2011年度年度,理工学特別研究A,修士課程・博士前期課程

  • 2011年度年度,理工学特別研究B,修士課程・博士前期課程

  • 2011年度年度,電子情報工学特別研究A,修士課程・博士前期課程

  • 2011年度年度,電子情報工学特別研究B,修士課程・博士前期課程

  • 2011年度年度,電子情報工学特別講義,修士課程・博士前期課程

  • 2010年度年度,化学の基礎IIA,21世紀教育科目

  • 2010年度年度,卒業研究,専門教育科目(学部)

  • 2010年度年度,電子情報工学大系,専門教育科目(学部)

  • 2010年度年度,電子情報工学実験I ,専門教育科目(学部)

  • 2010年度年度,電子情報工学実験IV,専門教育科目(学部)

  • 2010年度年度,電子情報工学研修I,専門教育科目(学部)

  • 2010年度年度,電子情報工学研修II,専門教育科目(学部)

  • 2010年度年度,電気・電子材料,専門教育科目(学部)

  • 2010年度年度,電気回路演習,専門教育科目(学部)

  • 2010年度年度,センサー特論,修士課程・博士前期課程

  • 2010年度年度,理工学特別演習A,修士課程・博士前期課程

  • 2010年度年度,理工学特別演習B,修士課程・博士前期課程

  • 2010年度年度,理工学特別研究A,修士課程・博士前期課程

  • 2010年度年度,理工学特別研究B,修士課程・博士前期課程

  • 2010年度年度,電子情報工学特別研究A,修士課程・博士前期課程

  • 2010年度年度,電子情報工学特別研究B,修士課程・博士前期課程

  • 2010年度年度,電子情報工学特別講義,修士課程・博士前期課程

  • 2009年度年度,卒業研究,専門教育科目(学部)

  • 2009年度年度,電子情報工学大系,専門教育科目(学部)

  • 2009年度年度,電子情報工学実験I ,専門教育科目(学部)

  • 2009年度年度,電子情報工学実験IV,専門教育科目(学部)

  • 2009年度年度,電子情報工学研修I,専門教育科目(学部)

  • 2009年度年度,電子情報工学研修II,専門教育科目(学部)

  • 2009年度年度,電気・電子材料,専門教育科目(学部)

  • 2009年度年度,電気回路演習,専門教育科目(学部)

  • 2009年度年度,物質理工学特別演習,修士課程・博士前期課程

  • 2009年度年度,物質理工学特別研究,修士課程・博士前期課程

  • 2008年度年度,卒業研究,専門教育科目(学部)

  • 2008年度年度,電子情報工学大系,専門教育科目(学部)

  • 2008年度年度,電子情報工学実験I ,専門教育科目(学部)

  • 2008年度年度,電子情報工学実験IV,専門教育科目(学部)

  • 2008年度年度,電子情報工学研修I,専門教育科目(学部)

  • 2008年度年度,電子情報工学研修II,専門教育科目(学部)

  • 2008年度年度,電気・電子材料,専門教育科目(学部)

  • 2008年度年度,電気回路演習,専門教育科目(学部)

  • 2008年度年度,薄膜工学特論,修士課程・博士前期課程

  • 2007年度年度,基礎ゼミナール,21世紀教育科目

  • 2007年度年度,卒業研究,専門教育科目(学部)

  • 2007年度年度,物質理工学実験A,専門教育科目(学部)

  • 2007年度年度,電子情報工学大系,専門教育科目(学部)

  • 2007年度年度,電気回路演習,専門教育科目(学部)

  • 2007年度年度,物質理工学特別研究,修士課程・博士前期課程

▼全件表示

社会貢献活動

  • サイエンスセミナー

    2013年10月

  • サイエンスキャンプ

    2013年09月

  • 第9回弘前大学と八戸高専とのシーズ提案会実行委員

    2009年12月 - 2010年01月

  • ドリーム講座

    2009年11月

  • 第8回弘前大学と八戸高専とのシーズ提案会実行委員

    2008年12月 - 2009年01月

  • 第7回弘前大学と八戸高専とのシーズ提案会実行委員

    2007年11月 - 2008年01月

▼全件表示