論文 - 遠田 義晴
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シリコン酸化膜熱脱離によるボイド内リング構造形成の雰囲気依存性
遠田 義晴，長内 翔大，小笠原 崇仁
第６３回応用物理学会春季学術講演会予稿集 2016年03月
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Angle-Resolved and Resonant Photoemission Study of the Valence Bands of α-La(0001) on W(110)（共著）
Yoshiharu Enta, Osamu Morimoto, Hiroo Kato, and Yasuo Sakisaka
World Journal of Condensed Matter Physics 6 17 - 26 2016年02月
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Ring structures formed inside voids in SiO2 layer on Si(100) during thermal decomposition（共著）
Yoshiharu Enta, Shodai Osanai, Taichi Yoshida
Japanese Journal of Applied Physics 55 028004-1 - 028004-3 2016年02月
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Interfacial Structure of Oxynitride Layer on Si(100) with Plasma-Excited N2O
Y. Enta
International Journal of Applied and Natural Sciences 5 ( 1 ) 63 - 68 2016年01月
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シリコン酸化膜のボイド状熱脱離とボイド内微細構造
遠田義晴，永井孝幸，吉田太祐，長内翔大，小笠原崇仁
応用物理学会東北支部 第７０回学術講演会要旨 2015年12月
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シリコン酸窒化膜内殻準位異常シフトの解析
高見貴弘，和田誠，遠田義晴
応用物理学会東北支部 第７０回学術講演会要旨 2015年12月
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PLD法による AlN/Si(110)上への SiC薄膜 の作製および グラフェンの形成
成田舜基， 目黒 一煕，高見貴弘，遠田義晴，中澤日出樹
応用物理学会東北支部 第７０回学術講演会要旨 2015年12月
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Dry-Oxidation Rate of Si(100) Surface up to 2 nm-Oxide Thickness（共著）
Y. Enta, M. Arita, M. Wada
International Journal of Applied and Natural Sciences 4 ( 6 ) 51 - 56 2015年10月
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気相熱励起N2Oガスを用いたシリコン熱酸窒化反応
高見 貴弘，遠田 義晴
第７６回応用物理学会学術講演会予稿集 2015年09月
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シリコン酸窒化膜の内殻準位異常シフトに対する表面吸着種の影響
高見 貴弘，和田 誠，遠田 義晴
電子情報通信学会技術研究報告 115 ( 179 ) 71 - 74 2015年08月
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高周波プラズマ化学気相成長法による窒素添加DLC薄膜の膜特性への基板バイアスの影響
土屋 政人，村上 和輝，佐藤達人，高見 貴弘，遠田 義晴，中澤 日出樹
電子情報通信学会技術研究報告 115 ( 179 ) 7 - 10 2015年08月
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Electrical and optical properties of nitrogen-doped DLC films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition
M. Tsuchiya, K. Magara, K. Tokuda, Y. Enta, Y. Suzuki, T. Takami, H. Ogasawara, H. Nakazawa
The 9th International Conference on New Diamonds and Nano Carbons 2015 2015年05月
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高周波プラズマ化学気相成長法による窒素添加DLC薄膜の電気的特性および光学的特性
土屋政人，真柄晃平，徳田健吾，遠田義晴，高見貴弘，中澤日出樹
応用物理学会第６９回東北支部学術講演会予稿集 2014年12月
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シリコン酸化膜熱脱離時に形成される微細構造形成機構
長内 翔大,吉田 太祐,遠田 義晴
第７５回応用物理学会学術講演会予稿集 2014年09月
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シリコン酸窒化膜の内殻準位化学シフトと表面モフォロジーの関連
高見貴弘, 和田誠, 遠田義晴
第７５回応用物理学会学術講演会予稿集 2014年09月
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Segregation of Nitrogen in SiON layer on Si measured by angle-resolved photoelectron spectroscopy（共著）
MakotoWada, Mariko Arita, Yoshiharu Enta
Photon Factory Activity Report 2012 30B 2013年11月
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Decomposition kinetics of silicon oxide layers on silicon substrates during annealing in vacuum（共著）
Y. Enta, T. Nagai, T. Yoshida, N. Ujiie, H. Nakazawa
Journal of Applied Physics 114 114104-1 - 114104-04 2013年09月
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Void and Nanostructure Formations during Thermal Decomposition of 20-nm-Thick Silicon Oxide Layer on Si(100)（共著）
Yoshiharu Enta, Kano Ogawa, Takayuki Nagai
Japanese Journal of Applied Physics 52 031303-1 - 031303-4 2013年03月
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Precise control of epitaxy of graphene by microfabricating SiC substrate（共著）
H. Fukidome, Y. Kawai, Th. Seyller, M. Kotsugi, H. Handa, T. Ohkouchi, H. Miyashita, T. Ide, Y. Enta, T. Kinoshita, M. Suemitsu
Applied Physics Letters 101 041605 2012年07月
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Epitaxy of Graphene on 3C-SiC(111) Thin Films on Microfabricated Si(111) Substrates（共著）
Takayuki Ide, Yusuke Kawai1, Hiroyuki Handa, Hirokazu Fukidome, Masato Kotsugi, Takuo Ohkochi, Yoshiharu Enta, Toyohiko Kinoshita, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka, and Maki Suemitsu
Japanese Journal of Applied Physics 51 06FD02 2012年06月