論文 - 中澤 日出樹
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Study on the formation mechanism of bismuth -mediated Ge nanodots fabricated by vacuum evaporation
K. Tsushima, K. Takita, H. Nakazawa, T. Tawara, K. Tateno, G. Zhang, H. Gotoh, H. Okamoto
Japanese Journal of Applied Physics 58 SDDG-1 - SDDG-5 2019年06月
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炭素系薄膜の作製と評価
中澤日出樹
電子情報通信学会技術報告 118 ( 461 ) 37 - 40 2019年02月
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ケイ素及び窒素を添加したDLC薄膜の熱的安定性
中澤日出樹、中村和樹、長内公哉、郡山春人、小林康之、遠田義晴、鈴木裕史、末光眞希
電子情報通信学会技術報告 118 ( 179 ) 99 - 104 2018年10月
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Si添加DLC薄膜への窒素添加の効果
中村和樹、大橋遼、横山大・田島圭一郎、遠藤則史、末光眞希、遠田義晴、小林康之、鈴木裕史、中澤日出樹
電子情報通信学会技術報告 118 ( 179 ) 1 - 6 2018年08月
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SiC/AlN/Si(110)基板上グラフェンの成長
中澤日出樹、成田舜基、奈良友奎、遠田義晴
電子情報通信学会技術報告 118 ( 179 ) 7 - 12 2018年08月
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SiC/SiCバッファ層/AlN/Si(110)多層構造におけるSiCバッファ層形成条件の検討
奈良友奎、工藤あさひ、中澤日出樹
電子情報通信学会技術報告 118 ( 179 ) 13 - 16 2018年08月
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真空蒸着法によるBi媒介Geナノドットの形成機構の検討
対馬和都、滝田健介、中澤日出樹、俵毅彦、舘野功太、章国強、後藤秀樹、池田高之、水野誠一郎、岡本浩
電子情報通信学会技術報告 118 ( 179 ) 21 - 24 2018年08月
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Impacts of substrate bias and dilution gas on the properties of Si-incorporated diamond-like carbon films by plasma deposition using organosilane as a Si source
H. Nakazawa, S. Miura, K. Nakamura, Y. Nara
Thin Solid Films 654 38 - 48 2018年05月
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Synthesis of boron/nitrogen-incorporated diamond-like carbon films by pulsed laser deposition using nitrogen gas and a boron-containing graphite target”jointly worked"
H. Nakazawa, R. Osozawa, Y. Mohnai, Y. Nara
Japanese Journal of Applied Physics 56 105501-1 - 105501-7 2017年10月
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レーザーアブレーション法によるSiCバッファ層を用いたAlN/Si(110)基板上へのSiCエピタキシャル成長（共著）
奈良友奎, 成田舜基, 中澤日出樹
電子情報通信学会技術報告 117 7 - 10 2017年08月
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Effects of source gases on the properties of silicon/nitrogen-incorporated diamond-like carbon films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition"jointly worked"
H. Nakazawa, K. Magara, T. Takami, H. Ogasawara, Y. Enta, Y. Suzuki
Thin Solid Films 636 177 - 182 2017年08月
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Formation of graphene/SiC/AlN multilayers synthesized by pulsed laser deposition on Si(110) substrates”jointly worked"
S. Narita, K. Meguro, T. Takami, Y. Enta, H. Nakazawa
Journal of Crystal Growth 260 27 - 36 2017年02月
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Tribological properties and thermal stability of hydrogenated, silicon/nitrogen-coincorporated diamond-like carbon films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition”jointly worked"
H. Nakazawa, S. Okuno, K. Magara, K. Nakamura, S. Miura, Y. Enta
Japanese Journal of Applied Physics 55 125501-1 - 125501-9 2016年12月
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Structural and electrical properties and current-voltage characterristics of nitrogen-doped diamond-like carbon films on Si substrates by plasma-enhanced chemical vapor deposition”jointly worked"
M. Tsuchiya, K. Murakami, K. Magara, K. Nakamura, H. Ohashi, K. Tokuda, T. Takami, H. Ogasawara, Y. Enta, Y. Suzuki, S. Ando, H. Nakazawa
Japanese Journal of Applied Physics 55 065502-1 - 065502-6 2016年06月
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レーザーアブレーション法によるAlN/Si(110)基板上へのSiC成長（共著）
成田舜基，目黒一熙, 中澤日出樹
電子情報通信学会技術報告 115 11 - 14 2015年08月
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高周波プラズマ化学気相成長法による窒素添加DLC薄膜の膜特性への基板バイアスの影響（共著）
土屋政人，村上和輝，佐藤達人，高見貴弘，遠田義晴，中澤日出樹
電子情報通信学会技術報告 115 7 - 10 2015年08月
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レーザーアブレーション法によるAlN/Si(110)基板上SiC薄膜の作製と評価（共著）
目黒一熙, 成田舜基, 中澤日出樹
電子情報通信学会技術報告 115 1 - 5 2015年08月
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Relaxation of Cs atomic polarization at surface coatings characterized by X-ray photoelectron spectroscopy"jointly worked"
K. Kushida, T. Niwano, T. Morita, T. Shimizu, K. Meguro, H. Nakazawa, A. Hatayama
Japanese Journal of Applied Physics 54 066401-1 - 066401-5 2015年06月
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Growth of silicon carbide on Si(100) substrate with an intermediate aluminum nitride layer by ultralow-pressure chemical vapor deposition using monomethylsilane"jointly worked"
H. Nakazawa, D. Suzuki, T. Narita, K. Meguro, M. Tsuchiya
Journal of Crystal Growth 418 52 - 56 2015年05月
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Deposition of silicon-doped diamond-like carbon films by plasma-enhanced chemical vapor deposition using an intermittent supply of organosilane"jointly worked"
H. Nakazawa, R. Kmata, S. Okuno
Dimoand and Related Materials 51 7 - 13 2015年01月