論文 - 中澤 日出樹
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プラズマ化学気相成長法によるSi及びN添加ダイヤモンドライクカーボン膜の光学的特性および電気的特性に及ぼすH₂及びAr希釈の効果
佐々木祐弥，長内公哉，大谷優介，室野優太，佐藤聖能，小林康之，遠田義晴，鈴木裕史，中澤日出樹
電子情報通信学会技術報告 121 ( 220 ) 23 - 28 2021年10月
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Effects of silicon doping on the chemical bonding states and properties of nitrogen-doped diamond-like carbon films by plasma-enhanced chemical vapor deposition
K. Nakamura, H. Ohashi, Y. Enta, Y. Kobayashi, Y. Suzuki, M. Suemitsu, H. Nakazawa
Thin Solid Films 736 138923-1 - 138923-11 2021年10月
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マグネトロンスパッタ法を用いて作製したBCN膜特性への水素の効果
谷口 颯, 郡山春人, 小林康之, 遠田義晴, 吹留博一, 中澤日出樹
電子情報通信学会技術報告 120 ( 217 ) 23 - 26 2020年10月
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AlN/Si(110)基板上SiCエピタキシャル成長におけるSiC低温バッファ層の効果
葛西大希, 奈良友奎, 中澤日出樹
電子情報通信学会技術報告 120 ( 217 ) 7 - 10 2020年10月
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Influence of the terrace width of pentacene underlayers on the crystallinity of C60 overlayers
K. Nakata, H. Nakazawa, H. Okamoto, Y. Kobayashi
Thin Solid Films 692 137638-1 - 137638-5 2019年12月
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窒素を添加したDLC膜特性へのアニール効果
長内公哉, 中村和樹, 郡山春人, 小林康之, 遠田義晴, 鈴木裕史, 末光眞希, 中澤日出樹
電子情報通信学会技術報告 119 ( 217 ) 9 - 14 2019年11月
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Growth of 3C-SiC(111) on AlN/off-axis Si(111) hetero-structure and formation of epitaxial graphene thereon
S. Narita, Y. Nara, Y. Enta, H. Nakazawa
Japanese Journal of Applied Physics 58 SIIA16-1 - SIIA16-8 2019年08月
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Effect of a SiC seed layer grown at different temperatures on SiC film deposition on top of AlN/Si(110) substrate
Y. Nara, H. Nakazawa
Japanese Journal of Applied Physics 58 SIIA18-1 - SIIA18-6 2019年08月
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オフ角Si(110)基板上AlN層の形成とその上へのSiCヘテロエピタキシャル成長
中澤日出樹, 奈良友奎, 葛西大希
電子情報通信学会技術報告 119 ( 181 ) 23 - 28 2019年08月
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Effect of a SiC seed layer grown at different temperatures on SiC film deposition on top of an AlN/Si(110) substrate
Yuki Nara, Hideki Nakazawa
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 ( SI ) SIIA18-1 - SIIA18-6 2019年08月
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Study on the formation mechanism of bismuth -mediated Ge nanodots fabricated by vacuum evaporation
K. Tsushima, K. Takita, H. Nakazawa, T. Tawara, K. Tateno, G. Zhang, H. Gotoh, H. Okamoto
Japanese Journal of Applied Physics 58 SDDG-1 - SDDG-5 2019年06月
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炭素系薄膜の作製と評価
中澤日出樹
電子情報通信学会技術報告 118 ( 461 ) 37 - 40 2019年02月
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ケイ素及び窒素を添加したDLC薄膜の熱的安定性
中澤日出樹、中村和樹、長内公哉、郡山春人、小林康之、遠田義晴、鈴木裕史、末光眞希
電子情報通信学会技術報告 118 ( 179 ) 99 - 104 2018年10月
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Si添加DLC薄膜への窒素添加の効果
中村和樹、大橋遼、横山大・田島圭一郎、遠藤則史、末光眞希、遠田義晴、小林康之、鈴木裕史、中澤日出樹
電子情報通信学会技術報告 118 ( 179 ) 1 - 6 2018年08月
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SiC/AlN/Si(110)基板上グラフェンの成長
中澤日出樹、成田舜基、奈良友奎、遠田義晴
電子情報通信学会技術報告 118 ( 179 ) 7 - 12 2018年08月
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SiC/SiCバッファ層/AlN/Si(110)多層構造におけるSiCバッファ層形成条件の検討
奈良友奎、工藤あさひ、中澤日出樹
電子情報通信学会技術報告 118 ( 179 ) 13 - 16 2018年08月
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真空蒸着法によるBi媒介Geナノドットの形成機構の検討
対馬和都、滝田健介、中澤日出樹、俵毅彦、舘野功太、章国強、後藤秀樹、池田高之、水野誠一郎、岡本浩
電子情報通信学会技術報告 118 ( 179 ) 21 - 24 2018年08月
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Impacts of substrate bias and dilution gas on the properties of Si-incorporated diamond-like carbon films by plasma deposition using organosilane as a Si source
H. Nakazawa, S. Miura, K. Nakamura, Y. Nara
Thin Solid Films 654 38 - 48 2018年05月
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Synthesis of boron/nitrogen-incorporated diamond-like carbon films by pulsed laser deposition using nitrogen gas and a boron-containing graphite target”jointly worked"
H. Nakazawa, R. Osozawa, Y. Mohnai, Y. Nara
Japanese Journal of Applied Physics 56 105501-1 - 105501-7 2017年10月
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レーザーアブレーション法によるSiCバッファ層を用いたAlN/Si(110)基板上へのSiCエピタキシャル成長（共著）
奈良友奎, 成田舜基, 中澤日出樹
電子情報通信学会技術報告 117 7 - 10 2017年08月