論文 - 中澤 日出樹
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Effects of source gases on the properties of silicon/nitrogen-incorporated diamond-like carbon films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition"jointly worked"
H. Nakazawa, K. Magara, T. Takami, H. Ogasawara, Y. Enta, Y. Suzuki
Thin Solid Films 636 177 - 182 2017年08月
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Formation of graphene/SiC/AlN multilayers synthesized by pulsed laser deposition on Si(110) substrates”jointly worked"
S. Narita, K. Meguro, T. Takami, Y. Enta, H. Nakazawa
Journal of Crystal Growth 260 27 - 36 2017年02月
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Tribological properties and thermal stability of hydrogenated, silicon/nitrogen-coincorporated diamond-like carbon films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition”jointly worked"
H. Nakazawa, S. Okuno, K. Magara, K. Nakamura, S. Miura, Y. Enta
Japanese Journal of Applied Physics 55 125501-1 - 125501-9 2016年12月
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Structural and electrical properties and current-voltage characterristics of nitrogen-doped diamond-like carbon films on Si substrates by plasma-enhanced chemical vapor deposition”jointly worked"
M. Tsuchiya, K. Murakami, K. Magara, K. Nakamura, H. Ohashi, K. Tokuda, T. Takami, H. Ogasawara, Y. Enta, Y. Suzuki, S. Ando, H. Nakazawa
Japanese Journal of Applied Physics 55 065502-1 - 065502-6 2016年06月
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レーザーアブレーション法によるAlN/Si(110)基板上へのSiC成長（共著）
成田舜基，目黒一熙, 中澤日出樹
電子情報通信学会技術報告 115 11 - 14 2015年08月
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高周波プラズマ化学気相成長法による窒素添加DLC薄膜の膜特性への基板バイアスの影響（共著）
土屋政人，村上和輝，佐藤達人，高見貴弘，遠田義晴，中澤日出樹
電子情報通信学会技術報告 115 7 - 10 2015年08月
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レーザーアブレーション法によるAlN/Si(110)基板上SiC薄膜の作製と評価（共著）
目黒一熙, 成田舜基, 中澤日出樹
電子情報通信学会技術報告 115 1 - 5 2015年08月
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Relaxation of Cs atomic polarization at surface coatings characterized by X-ray photoelectron spectroscopy"jointly worked"
K. Kushida, T. Niwano, T. Morita, T. Shimizu, K. Meguro, H. Nakazawa, A. Hatayama
Japanese Journal of Applied Physics 54 066401-1 - 066401-5 2015年06月
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Growth of silicon carbide on Si(100) substrate with an intermediate aluminum nitride layer by ultralow-pressure chemical vapor deposition using monomethylsilane"jointly worked"
H. Nakazawa, D. Suzuki, T. Narita, K. Meguro, M. Tsuchiya
Journal of Crystal Growth 418 52 - 56 2015年05月
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Effects of frequency of pulsed substrate bias on structure and properties of silicon-doped diamond-like carbon films by plasma deposition"jointly worked"
H. Nakazawa, R. Kmata, S. Miura, S. Okuno
Thin Solid Films 574 93 - 98 2015年01月
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Deposition of silicon-doped diamond-like carbon films by plasma-enhanced chemical vapor deposition using an intermittent supply of organosilane"jointly worked"
H. Nakazawa, R. Kmata, S. Okuno
Dimoand and Related Materials 51 7 - 13 2015年01月
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オフ角Si(001)基板上に形成したAlN層上へのSiCヘテロエピタキシャル成長（共著）
目黒一熙, 成田次理, 上村駿洋, 中澤日出樹
電子情報通信学会技術報告 114 7 - 12 2014年09月
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高周波プラズマ化学気相成長法による窒素添加DLC薄膜の特性評価（共著）
土屋政人, 真柄晃平, 徳田健吾, 中澤日出樹
電子情報通信学会技術報告 114 1 - 5 2014年09月
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Formation of an interfacial buffer layer for 3C-SiC heteroepitaxy on AlN/Si substrates "jointly worked"
K. Meguro, T. Narita, K. Noto, H. Nakazawa
Materials Science Forum 778-780 251 - 254 2014年02月
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Decomposition kinetics of silicon oxide layers on silicon substrates during annealing in vacuum "jointly worked"
Y. Enta, T. Nagai, T. Yoshida, N. Ujiie, H. Nakazawa
Journal of Applied Physics 114 114104-1 - 114104-4 2013年09月
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Influence of duty ratio of pulsed bias on structure and properties of silicon-doped diamond-like carbon films by plasma deposition "jointly worked"
H. Nakazawa, R. Kmata, S. Miura, S. Okuno
Thin Solid Films 539 134 - 138 2013年07月
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Surface enhanced infrared absorption spectra on pulsed laser deposited silver island films "jointly worked"
H. Nakashima, Y. Sasaki, R. Osozawa, Y. Kon, H. Nakazawa, Y. Suzuki
Thin Solid Films 536 166 - 171 2013年06月
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Effects of pulse bias on structure and properties of silicon/nitrogen-incorporated diamond-like carbon films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition（共著）
H. Nakazawa, S. Miura, R. Kamata, S. Okuno, M. Suemitsu, T. Abe
Applied Surface Science 264 625 - 632 2013年01月
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Formation of Ge Nanodots Capped with SiC Layer by Gas-Source MBE Using MMGe and MMSi（共著）
K. Yasui, Y. Anezaki, K. Sato, A. Kato, T. Kato, M. Suemitsu, Y. Narita, H. Nakazawa
ECS Transactions 50 171 - 177 2012年12月
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ガスソースMBEによるSi上の高密度Geナノドットの作製と発光特性（共著）
姉崎 豊，佐藤 魁，加藤孝弘，加藤有行，豊田英之，末光真希，中澤日出樹，成田 克，安井寛治
電子情報通信学会技術報告 112 97 - 100 2012年10月