論文 - 中澤 日出樹
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Effects of frequency of pulsed substrate bias on structure and properties of silicon-doped diamond-like carbon films by plasma deposition"jointly worked"
H. Nakazawa, R. Kmata, S. Miura, S. Okuno
Thin Solid Films 574 93 - 98 2015年01月
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高周波プラズマ化学気相成長法による窒素添加DLC薄膜の特性評価（共著）
土屋政人, 真柄晃平, 徳田健吾, 中澤日出樹
電子情報通信学会技術報告 114 1 - 5 2014年09月
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オフ角Si(001)基板上に形成したAlN層上へのSiCヘテロエピタキシャル成長（共著）
目黒一熙, 成田次理, 上村駿洋, 中澤日出樹
電子情報通信学会技術報告 114 7 - 12 2014年09月
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Formation of an interfacial buffer layer for 3C-SiC heteroepitaxy on AlN/Si substrates "jointly worked"
K. Meguro, T. Narita, K. Noto, H. Nakazawa
Materials Science Forum 778-780 251 - 254 2014年02月
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Decomposition kinetics of silicon oxide layers on silicon substrates during annealing in vacuum "jointly worked"
Y. Enta, T. Nagai, T. Yoshida, N. Ujiie, H. Nakazawa
Journal of Applied Physics 114 114104-1 - 114104-4 2013年09月
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Influence of duty ratio of pulsed bias on structure and properties of silicon-doped diamond-like carbon films by plasma deposition "jointly worked"
H. Nakazawa, R. Kmata, S. Miura, S. Okuno
Thin Solid Films 539 134 - 138 2013年07月
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Surface enhanced infrared absorption spectra on pulsed laser deposited silver island films "jointly worked"
H. Nakashima, Y. Sasaki, R. Osozawa, Y. Kon, H. Nakazawa, Y. Suzuki
Thin Solid Films 536 166 - 171 2013年06月
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Effects of pulse bias on structure and properties of silicon/nitrogen-incorporated diamond-like carbon films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition（共著）
H. Nakazawa, S. Miura, R. Kamata, S. Okuno, M. Suemitsu, T. Abe
Applied Surface Science 264 625 - 632 2013年01月
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Formation of Ge Nanodots Capped with SiC Layer by Gas-Source MBE Using MMGe and MMSi（共著）
K. Yasui, Y. Anezaki, K. Sato, A. Kato, T. Kato, M. Suemitsu, Y. Narita, H. Nakazawa
ECS Transactions 50 171 - 177 2012年12月
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ガスソースMBEによるSi上の高密度Geナノドットの作製と発光特性（共著）
姉崎 豊，佐藤 魁，加藤孝弘，加藤有行，豊田英之，末光真希，中澤日出樹，成田 克，安井寛治
電子情報通信学会技術報告 112 97 - 100 2012年10月
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Si基板上へのAlN層の形成およびSi/AlN上への3C-SiC成長（共著）
中澤日出樹，鈴木大樹，成田次理，山本陽平
電子情報通信学会技術報告 112 39 - 44 2012年10月
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Si(100)基板/AlN中間層上への3C-SiCヘテロエピタキシャル成長（共著）
中澤日出樹，鈴木大樹，成田次理，山本陽平
電子情報通信学会技術報告 112 5 - 10 2012年08月
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ガスソースMBE法による高密度Geナノドット/SiC積層構造の作製とその発光特性（共著）
姉崎 豊，佐藤 魁，加藤孝弘，加藤有行，末光真希，中澤日出樹，成田 克，安井寛治
電子情報通信学会技術報告 112 11 - 15 2012年08月
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有機金属化合物を用いたSiC/Geナノドット積層構造の作製（共著）
姉崎豊，大谷孝史，須藤晴紀，加藤孝弘，加藤有行，末光眞希，成田克，中澤日出樹，安井寛治
表面科学 33 376 - 381 2012年07月
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Hydrogen Effects of the Properties of Silicon/Nitrogen-Coincorporated Diamond-Like Carbon Films Prepared by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition（共著）
H. Nakazawa, S. Okuno, S. Miura, R. Kamata
Japanese Journal of Applied Physics 51 075801-1 - 075801-7 2012年07月
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Characteristics of Silicon/Nitrogen-Coincorporated Diamond-Like Carbon Films Prepared by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition（共著）
H. Nakazawa, S. Miura, R. Kamata, S. Okuno, Y. Enta, M. Suemitsu, T. Abe
Japanese Journal of Applied Physics 51 015603-1 - 015603-7 2012年01月
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Temperature dependence of the optical gap of diamond-like carbon films investigated by a piezoelectric photothermal spectroscopy（共著）
W. Ding, Y. Nakano, R. Yamamoto, K. Sakai, H. Nakazawa, A. Fukuyama, T. Ikari
Energy Procedia 10 66 - 70 2011年12月
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SiC層中に埋め込まれたGe・SiCドットの発光特性（共著）
大谷孝史，姉崎 豊，浅野 翔，加藤有行，成田 克，中澤日出樹，加藤孝弘，安井寛治
電子情報通信学会技術報告 CPM111 15 - 20 2011年08月
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レーザーアブレーション法によるDLC膜特性に及ぼすB、N添加の影響（共著）
毛内裕介，遅澤遼一，中澤日出樹
電子情報通信学会技術報告 CPM111 37 - 42 2011年08月
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プラズマCVD法によるSiおよびN同時添加DLC膜特性に対する水素の影響（共著）
奥野さおり，三浦創史，鎌田亮輔，中澤日出樹
電子情報通信学会技術報告 CPM111 31 - 36 2011年08月