Papers - NAKAZAWA HIDEKI
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Formation of AlN layers on Si substrates and growth of 3C-SiC on AlN/Si substrates "jointly worked"
112 39 - 44 2012.10
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Heteroepitaxial growth of 3C-SiC on an AlN intermediate layer on Si(100) substrate "jointly worked"
112 5 - 10 2012.8
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Fabrication of high-density Ge nanodots/SiC stacked structure by gas source MBE and its PL characteristics"jointly worked"
112 11 - 15 2012.8
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Fabrication of a SiC/Ge-Nanodots Stacked Structure Using Organometallic Compounds "jointly worked"
Yutaka Anezaki, Takashi Otani, Haruki Goto, Takahiro Kato, Ariyuki Kato, Maki Suemitsu, Yuzuru Narita, Hideki Nakazawa, Kanji Yasui
Journal of The Surface Science Society of Japan 33 376 - 381 2012.7
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Hydrogen Effects of the Properties of Silicon/Nitrogen-Coincorporated Diamond-Like Carbon Films Prepared by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition（共著）
H. Nakazawa, S. Okuno, S. Miura, R. Kamata
Japanese Journal of Applied Physics 51 075801-1 - 075801-7 2012.7
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Characteristics of Silicon/Nitrogen-Coincorporated Diamond-Like Carbon Films Prepared by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition（共著）
H. Nakazawa, S. Miura, R. Kamata, S. Okuno, Y. Enta, M. Suemitsu, T. Abe
Japanese Journal of Applied Physics 51 015603-1 - 015603-7 2012.1
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Temperature dependence of the optical gap of diamond-like carbon films investigated by a piezoelectric photothermal spectroscopy（共著）
W. Ding, Y. Nakano, R. Yamamoto, K. Sakai, H. Nakazawa, A. Fukuyama, T. Ikari
Energy Procedia 10 66 - 70 2011.12
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SiC層中に埋め込まれたGe・SiCドットの発光特性（共著）
大谷孝史，姉崎 豊，浅野 翔，加藤有行，成田 克，中澤日出樹，加藤孝弘，安井寛治
電子情報通信学会技術報告 CPM111 15 - 20 2011.8
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レーザーアブレーション法によるDLC膜特性に及ぼすB、N添加の影響（共著）
毛内裕介，遅澤遼一，中澤日出樹
電子情報通信学会技術報告 CPM111 37 - 42 2011.8
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プラズマCVD法によるSiおよびN同時添加DLC膜特性に対する水素の影響（共著）
奥野さおり，三浦創史，鎌田亮輔，中澤日出樹
電子情報通信学会技術報告 CPM111 31 - 36 2011.8
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レーザーアブレーション法によるAlN成長のSi基板面方位依存性（共著）
鈴木大樹，熊谷知貴，中澤日出樹
電子情報通信学会技術報告 CPM111 1 - 6 2011.8
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Effects of hydrogen on the properties of Si-incorporated diamond-like carbon films prepared by pulsed laser deposition（共著）
H. Nakazawa, R. Osozawa,T. Okuzaki, N. Sato, M. Suemitsu, T. Abe
Diamond and Related Materials 20 485 - 491 2011.4
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Changes in chemical bonding of diamond-like carbon films by atomic-hydrogen exposure（共著）
H. Nakazawa, R. Osozawa, Y. Enta, M. Suemitsu
Dimoand and Related Materials 19 1387 - 1392 2010.11
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パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化（共著）
永田一樹, 里本宗一, 片桐裕則, 神保和夫, 末光眞希, 遠藤哲郎, 伊藤 隆, 中澤日出樹, 成田 克, 安井寛治
電子情報通信学会技術報告 CPM110 55 - 58 2010.10
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レーザーアブレーション法によるSi基板上AlN薄膜の形成（共著）
中澤日出樹, 鈴木大樹, 遲澤遼一, 岡本 浩
電子情報通信学会技術報告 CPM110 39 - 44 2010.7
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Silicon thermal oxidation and its thermal deposition investigated by Si 2p core-level photoemission（共著）
Y. Enta, H. Nakazawa, S. Sato, H. Kato, Y. Sakisaka
Journal of Physics 235 012008-1 - 012008-6 2010.6
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Mechanical and tribological properties of boron, nitrogen-coincorporated diamond-like carbon films prepared by reactive radio-frequency magnetron Sputtering（共著）
H. Nakazawa, A. Sudoh, M. Suemitsu, K. Yasui, T. Itoh, T. Endoh, Y. Narita, M. Mashita
Diamond and Related Materials 19 503 - 506 2010.5
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Effects of Silicon Source Gas and Substrate Bias on the Film Properties of Si-Incorporated Diamond-Like Carbon by Radio- Frequency Plasma-Enhanced Chemical Va-por Deposition（共著）
H. Nakazawa, T. Kinoshita, Y. Kaimori, Y. Asai, M. Suemitsu, T. Abe, K. Yasui, T. Endoh, T. Itoh, Y. Narita, Y. Enta, M. Mashita
Japanese Journal of Applied Physics 48 116002-1 - 116002-8 2009.11
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間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長（共著）
齋藤 健,永田一樹,末光眞希,遠藤哲郎,伊藤 隆,中澤日出樹,成田 克,高田雅介,赤羽正志,安井寛治
電子情報通信学会技術報告 CPM109 61 - 66 2009.8
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原子状水素照射によるダイヤモンドライクカーボン膜の化学結合状態の変化（共著）
遲澤遼一,中澤日出樹,奥崎知秀,佐藤直之,遠田義晴,末光眞希
電子情報通信学会技術報告 CPM109 19 - 24 2009.8