Papers - NAKAZAWA HIDEKI
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レーザーアブレーション法によるAlN成長のSi基板面方位依存性（共著）
鈴木大樹，熊谷知貴，中澤日出樹
電子情報通信学会技術報告 CPM111 1 - 6 2011.8
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Effects of hydrogen on the properties of Si-incorporated diamond-like carbon films prepared by pulsed laser deposition（共著）
H. Nakazawa, R. Osozawa,T. Okuzaki, N. Sato, M. Suemitsu, T. Abe
Diamond and Related Materials 20 485 - 491 2011.4
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Changes in chemical bonding of diamond-like carbon films by atomic-hydrogen exposure（共著）
H. Nakazawa, R. Osozawa, Y. Enta, M. Suemitsu
Dimoand and Related Materials 19 1387 - 1392 2010.11
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パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化（共著）
永田一樹, 里本宗一, 片桐裕則, 神保和夫, 末光眞希, 遠藤哲郎, 伊藤 隆, 中澤日出樹, 成田 克, 安井寛治
電子情報通信学会技術報告 CPM110 55 - 58 2010.10
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レーザーアブレーション法によるSi基板上AlN薄膜の形成（共著）
中澤日出樹, 鈴木大樹, 遲澤遼一, 岡本 浩
電子情報通信学会技術報告 CPM110 39 - 44 2010.7
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Silicon thermal oxidation and its thermal deposition investigated by Si 2p core-level photoemission（共著）
Y. Enta, H. Nakazawa, S. Sato, H. Kato, Y. Sakisaka
Journal of Physics 235 012008-1 - 012008-6 2010.6
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Mechanical and tribological properties of boron, nitrogen-coincorporated diamond-like carbon films prepared by reactive radio-frequency magnetron Sputtering（共著）
H. Nakazawa, A. Sudoh, M. Suemitsu, K. Yasui, T. Itoh, T. Endoh, Y. Narita, M. Mashita
Diamond and Related Materials 19 503 - 506 2010.5
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Effects of Silicon Source Gas and Substrate Bias on the Film Properties of Si-Incorporated Diamond-Like Carbon by Radio- Frequency Plasma-Enhanced Chemical Va-por Deposition（共著）
H. Nakazawa, T. Kinoshita, Y. Kaimori, Y. Asai, M. Suemitsu, T. Abe, K. Yasui, T. Endoh, T. Itoh, Y. Narita, Y. Enta, M. Mashita
Japanese Journal of Applied Physics 48 116002-1 - 116002-8 2009.11
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有機シランを用いたプラズマCVD法によるダイヤモンドライクカーボン薄膜の膜特性評価（共著）
三浦創史,中澤日出樹,西崎圭太,末光眞希,安井寛治,伊藤 隆,遠藤哲郎,成田 克
電子情報通信学会技術報告 CPM109 13 - 18 2009.8
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間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長（共著）
齋藤 健,永田一樹,末光眞希,遠藤哲郎,伊藤 隆,中澤日出樹,成田 克,高田雅介,赤羽正志,安井寛治
電子情報通信学会技術報告 CPM109 61 - 66 2009.8
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原子状水素照射によるダイヤモンドライクカーボン膜の化学結合状態の変化（共著）
遲澤遼一,中澤日出樹,奥崎知秀,佐藤直之,遠田義晴,末光眞希
電子情報通信学会技術報告 CPM109 19 - 24 2009.8
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Epitaxial Growth of GaN Films by Pulse-Mode Hot-Mesh Chemical Vapor Deposition （共著）
Y. Komae, K. Yasui, M. Suemitsu, T. Endoh, T. Ito, H. Nakazawa, Y. Narita, M. Takata, T. Akahane
Japanese Journal of Applied Physics 48 076509-1 - 076509-5 2009.7
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Atomic hydrogen etching of silicon-incorporated diamond- like carbon films prepared by pulsed laser deposition（共著）
H. Nakazawa, H. Sugita, Y. Enta, M. Suemitsu, K. Yasui, T. Itoh, T. Endoh, Y. Narita, M. Mashita
Diamond and Related Materials 18 831 - 834 2009.6
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The growth of GaN films by alternate source gas supply hot-mesh CVD method （共著）
Y. Komae, T. Saitou, M. Suemitsu, T. Ito, T. Endoh, H. Nakazawa, Y. Narita, M. Takata, T. Akahane, K. Yasui
Thin Solid Films 517 3528 - 3531 2009.4
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Raman-Scattering Spectroscopy of Epitaxial Graphene Formed on SiC Film on Si Substrate（共著）
Y. Miyamoto, H. Handa, E. Saito, A. Konno, Y. Narita, M. Suemitsu, H. Fukidome, T. Ito, K. Yasui, H. Nakazawa, T. Endoh
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 7 107 - 109 2009.2
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Thin-Film Deposition of Silicon-Incorporated Diamond-Like Carbon by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Using Monomethylsilane as a Silicon Source（共著）
H. Nakazawa, Y. Asai, T. Kinoshita, M. Suemitsu, T. Abe, K. Yasui, T. Itoh, T. Endoh, Y. Narita, A. Konno, Y. Enta, M. Mashita
Japanese Journal of Applied Physics 47 8491 - 8497 2008.11
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パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長（共著）
小前泰彰, 齋藤 健, 末光眞希, 伊藤 隆, 遠藤哲郎, 中澤日出樹, 成田 克, 高田雅介, 安井寛治, 赤羽正志
電子情報通信学会技術報告 108 7 - 12 2008.10
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“Temperature oscillation” as a real-time monitoring of the growth of 3C–SiC on Si substrate（共著）
E. Saito, A. Konno, T. Ito, K. Yasui, H. Nakazawa, T. Endoh, Y. Narita, M. Suemitsu
Applied Surface Science 254 6235 - 6237 2008.7
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Growth of GaN on SiC/Si substrates using AlN buffer layer by hot-mesh CVD （共著）
K. Tamura, Y. Kuroki, K. Yasui, M. Suemitsu, T. Itoh, T. Endoh, H. Nakazawa, Y. Narita, M. Takata, T. Akahane
Thin Solid Films 516 659 - 662 2008.1
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Growth of GaN films by hot-mesh chemical vapor deposition using ruthenium coated tungsten mesh （共著）
Y. Fukada, K. Yasui, Y. Kuroki, M. Suemitsu, T. Itoh, T. Endoh, H. Nakazawa, Y. Narita, M. Takata, T. Akahane
Japanese Journal of Applied Physics 47 573 - 576 2008.1