Papers - ENTA YOSHIHARU
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Photovoltaic and mechanical properties of boron carbide films prepared by magnetron sputtering
Tatsuya Nishida, Masayoshi Sato, Yoshiharu Enta, Yushi Suzuki, Yasuyuki Kobayashi, Hideki Nakazawa
Japanese Journal of Applied Physics 63 01SP38-1 - 01SP38-12 2024.1
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3˚オフ 角 Si(110)基板上 への SiC/AlN多層構造 の 作製 およびグラフェンの形成
齋藤遼佑、奈良友奎、葛西大希、郡山春人、遠田義晴、中澤日出樹
電子情報通信学会技術研究報告 123 ( 142 ) 29 - 32 2023.7
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水素ガスを用いたマグネトロンスパッタ法による炭化ホウ素薄膜の光起電力特性
西田 竜也、佐藤 聖能、小林 康之、遠田 義晴、中澤 日出樹
電子情報通信学会技術研究報告 122 ( 392 ) 35 - 38 2023.2
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マグネトロンスパッタ法による炭化ホウ素薄膜の光起電力特性
西田 竜也、佐藤 聖能、小林 康之、遠田 義晴、中澤 日出樹
応用物理学会第７７回東北支部学術講演会予稿集 2022.12
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マグネトロンスパッタ法による炭化ホウ素膜特性への水素ガスの効果
西田 竜也、佐藤 聖能、小林 康之、遠田 義晴、中澤 日出樹
電子情報通信学会技術研究報告 122 ( 147 ) 14 - 17 2022.7
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Annealing effects on the properties of hydrogenated diamond-like carbon films doped with silicon and nitrogen
Hideki Nakazawa, Kazuki Nakamura, Hiroya Osanai, Yuya Sasaki, Haruto Koriyama, Yasuyuki Kobayashi, Yoshiharu Enta, Yushi Suzuki, Maki Suemitsu
122 108809-1 - 108809-12 2022.1
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Annealing-induced void formation in SiO2 layers on Si substrates: Influence of surface orientation and hydrocarbon exposure
Yoshiharu Enta, Yusuke Masuda, Kyota Akimoto
719 122029-1 - 122029-7 2022.1
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Influence of hydrogen gas flow ratio on the properties of silicon- and nitrogen-doped diamond-like carbon films by plasma-enhanced chemical vapor deposition
Yuya Sasaki, Hiroya Osanai, Yusuke Ohtani, Yuta Murono, Masayoshi Sato, Yasuyuki Kobayashi, Yoshiharu Enta, Yushi Suzuki, Hideki Nakazawa
123 108878-1 - 108878-12 2022.1
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Effects of annealing temperature on the mechanical, optical, and electrical properties of hydrogenated, nitrogen-doped diamond-like carbon films
Hiroya Osanai, Kazuki Nakamura, Yuya Sasaki, Haruto Koriyama, Yasuyuki Kobayashi, Yoshiharu Enta, Yushi Suzuki, Maki Suemitsu, Hideki Nakazawa
745 139100-1 - 139100-15 2022.1
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Effects of silicon doping on the chemical bonding states and properties of nitrogen-doped diamond-like carbon films by plasma-enhanced chemical vapor deposition
K. Nakamura, H. Ohashi, Y. Enta, Y. Kobayashi, Y. Suzuki, M. Suemitsu, H. Nakazawa
736 138923-1 - 138923-11 2021.10
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窒素を添加したDLC膜特性へのアニール効果
長内公哉，中村和樹，郡山春人，小林康之，遠田義晴，鈴木裕史，末光眞希，中澤日出樹
電子情報通信学会技術研究報告 119 ( 271 ) 9 - 14 2019.10
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Growth of 3C-SiC(111) on AlN/off-axis Si(110) hetero-structure and formation of epitaxial graphene thereon
Syunki Narita, Yuki Nara, Yoshiharu Enta, Hideki Nakazawa
Japanese Journal of Applied Physics 58 SIIA16-1 - SIIA16-8 2019.8
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Thermal stability of silicon and nitrogen doped DLC thin films
IEICE Technical Report 118 ( 276 ) 99 - 104 2018.10
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Si基板上SiO2薄膜の電子線照射による還元反応
藤森敬典，千田陽介，増田悠右，氏家夏樹，遠田義晴
電子情報通信学会技術研究報告 118 ( 179 ) 47 - 52 2018.8
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Zr系金属ガラス表面の元素組成と化学結合状態
郡山春人，藤森敬典，遠田義晴，富樫 望
電子情報通信学会技術研究報告 118 ( 179 ) 53 - 56 2018.8
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SiC/AlN/Si(110)基板上グラフェンの成長
中澤日出樹，成田舜基，奈良友奎，遠田義晴
電子情報通信学会技術研究報告 118 ( 179 ) 7 - 12 2018.8
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Si添加DLC薄膜への窒素添加の効果
中村和樹，大橋遼，横山大，田島圭一郎，遠藤則史，末光真希，遠田義晴，小林康之，鈴木裕史，中澤日出樹
電子情報通信学会技術研究報告 118 ( 179 ) 1 - 6 2018.8
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室温電子線照射によるSiO2膜／Si基板界面でのSi微細構造形成
遠田 義晴，増田 悠右，千田 陽介
第６５回応用物理学会春季学術講演会予稿集 2018.3
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Effects of Temperature and Pressure in Oxynitridation Kinetics on Si(100) with N2O Gas
Yoshiharu Enta, Makoto Wada, Mariko Arita, Takahiro Takami
Materials Science in Semiconductor Processing 70 63 - 67 2017.11
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希釈ガスに水素ガスを用いたプラズマ化学気相成長法によるSi/N共添加 DLC 薄膜の作製と評価
中村 和樹，大橋 遼, 横山 大, 田島 圭一郎, 遠藤 則史, 末光 眞希, 遠田 義晴, 小林 康之, 中澤 日出樹
応用物理学会第７２回東北支部学術講演会予稿集 2017.11