Papers - ENTA YOSHIHARU
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シリコン酸化膜熱脱離によるボイド内リング構造形成の雰囲気依存性
遠田 義晴，長内 翔大，小笠原 崇仁
第６３回応用物理学会春季学術講演会予稿集 2016.3
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Angle-Resolved and Resonant Photoemission Study of the Valence Bands of α-La(0001) on W(110)（共著）
Yoshiharu Enta, Osamu Morimoto, Hiroo Kato, and Yasuo Sakisaka
World Journal of Condensed Matter Physics 6 17 - 26 2016.2
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Ring structures formed inside voids in SiO2 layer on Si(100) during thermal decomposition（共著）
Yoshiharu Enta, Shodai Osanai, Taichi Yoshida
Japanese Journal of Applied Physics 55 028004-1 - 028004-3 2016.2
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Interfacial Structure of Oxynitride Layer on Si(100) with Plasma-Excited N2O
Y. Enta
International Journal of Applied and Natural Sciences 5 ( 1 ) 63 - 68 2016.1
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シリコン酸化膜のボイド状熱脱離とボイド内微細構造
遠田義晴，永井孝幸，吉田太祐，長内翔大，小笠原崇仁
応用物理学会東北支部 第７０回学術講演会要旨 2015.12
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シリコン酸窒化膜内殻準位異常シフトの解析
高見貴弘，和田誠，遠田義晴
応用物理学会東北支部 第７０回学術講演会要旨 2015.12
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PLD法による AlN/Si(110)上への SiC薄膜 の作製および グラフェンの形成
成田舜基， 目黒 一煕，高見貴弘，遠田義晴，中澤日出樹
応用物理学会東北支部 第７０回学術講演会要旨 2015.12
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Dry-Oxidation Rate of Si(100) Surface up to 2 nm-Oxide Thickness（共著）
Y. Enta, M. Arita, M. Wada
International Journal of Applied and Natural Sciences 4 ( 6 ) 51 - 56 2015.10
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気相熱励起N2Oガスを用いたシリコン熱酸窒化反応
高見 貴弘，遠田 義晴
第７６回応用物理学会学術講演会予稿集 2015.9
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Effect of surface adsorbates on chemical shifts of core-level spectra for silicon oxinitride films
Takahiro TAKAMI, Makoto WADA, Yoshiharu ENTA
IEICE Technical Report 115 ( 179 ) 71 - 74 2015.8
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Effects of substrate bias on properties of nitrogen-doped DLC films prepared by radio frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition
Masato TSUCHIYA, Kazuki MURAKAMI, Tatsuhito SATO, Tahahiro TAKAMI, Yoshiharu ENTA, Hideki NAKAZAWA
IEICE Technical Report 115 ( 179 ) 7 - 10 2015.8
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Electrical and optical properties of nitrogen-doped DLC films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition
M. Tsuchiya, K. Magara, K. Tokuda, Y. Enta, Y. Suzuki, T. Takami, H. Ogasawara, H. Nakazawa
The 9th International Conference on New Diamonds and Nano Carbons 2015 2015.5
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高周波プラズマ化学気相成長法による窒素添加DLC薄膜の電気的特性および光学的特性
土屋政人，真柄晃平，徳田健吾，遠田義晴，高見貴弘，中澤日出樹
応用物理学会第６９回東北支部学術講演会予稿集 2014.12
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シリコン酸化膜熱脱離時に形成される微細構造形成機構
長内 翔大,吉田 太祐,遠田 義晴
第７５回応用物理学会学術講演会予稿集 2014.9
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シリコン酸窒化膜の内殻準位化学シフトと表面モフォロジーの関連
高見貴弘, 和田誠, 遠田義晴
第７５回応用物理学会学術講演会予稿集 2014.9
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Segregation of Nitrogen in SiON layer on Si measured by angle-resolved photoelectron spectroscopy（共著）
MakotoWada, Mariko Arita, Yoshiharu Enta
Photon Factory Activity Report 2012 30B 2013.11
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Decomposition kinetics of silicon oxide layers on silicon substrates during annealing in vacuum（共著）
Y. Enta, T. Nagai, T. Yoshida, N. Ujiie, H. Nakazawa
Journal of Applied Physics 114 114104-1 - 114104-04 2013.9
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Void and Nanostructure Formations during Thermal Decomposition of 20-nm-Thick Silicon Oxide Layer on Si(100)（共著）
Yoshiharu Enta, Kano Ogawa, Takayuki Nagai
Japanese Journal of Applied Physics 52 031303-1 - 031303-4 2013.3
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Precise control of epitaxy of graphene by microfabricating SiC substrate（共著）
H. Fukidome, Y. Kawai, Th. Seyller, M. Kotsugi, H. Handa, T. Ohkouchi, H. Miyashita, T. Ide, Y. Enta, T. Kinoshita, M. Suemitsu
Applied Physics Letters 101 041605 2012.7
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Epitaxy of Graphene on 3C-SiC(111) Thin Films on Microfabricated Si(111) Substrates（共著）
Takayuki Ide, Yusuke Kawai1, Hiroyuki Handa, Hirokazu Fukidome, Masato Kotsugi, Takuo Ohkochi, Yoshiharu Enta, Toyohiko Kinoshita, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka, and Maki Suemitsu
Japanese Journal of Applied Physics 51 06FD02 2012.6