Papers - ENTA YOSHIHARU
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希釈ガスに水素ガスを用いたプラズマ化学気相成長法によるSi/N共添加ダイヤモンドライクカーボンの膜特性
中村和樹、大橋遼、横山大、田島圭一郎、遠藤則史、末光眞希、遠田義晴、中澤日出樹
2016年真空・表面科学合同講演会 第36回表面科学学術講演会 第57回真空に関する連合講演会予稿集 2016.11
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希釈ガスに水素ガスを用いたプラズマCVD法によるN添加およびSi/N共添加DLC膜の特性比較
中村和樹、大橋遼、横山大、田島圭一郎、遠藤則史、末光眞希、遠田義晴、中澤日出樹
第30回ダイヤモンドシンポジウム予稿集 2016.11
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Silicon Fine Structures Formed by Thermal Desorption of Silicon Dioxide Layer in Vacuum
Yoshiharu Enta, Takayuki Nagai, Kano Ogawa, Taichi Yoshida, Shodai Osanai, Takahito Ogasawara, Yoshisumi Tsuchimoto, Chikashi Maita, Natsuki Ujiie, Hideki Nakazawa
Asia NANO 2016: Asian Conference on Nanoscience and Nanotechnology 2016.11
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希釈ガスとしてH2を用いたプラズマCVD法によるDLC膜特性へのSiおよびN添加効果
中村 和樹，大橋 遼, 横山 大, 田島 圭一郎, 遠藤 則史, 末光 眞希, 遠田 義晴, 中澤 日出樹
第７７回応用物理学会学術講演会予稿集 2016.9
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Effects of Temperature and Pressure in Oxynitridation Kinetics on Si(100) with N2O Gas
Yoshiharu Enta, Makoto Wada, Mariko Arita, and Takahiro Takami
7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces ISCSI-VII 2016.6
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Structural and electrical properties and current–voltage characteristics of nitrogen-doped diamond-like carbon films on Si substrates by plasma-enhanced chemical vapor deposition
Masato Tsuchiya, Kazuki Murakami, Kohei Magara, Kazuki Nakamura, Haruka Ohashi, Kengo Tokuda, Takahiro Takami, Haruka Ogasawara, Yoshiharu Enta, Yushi Suzuki, Satoshi Ando, and Hideki Nakazawa
Japanese Journal of Applied Physics 55 065502-1 - 065502-6 2016.5
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シリコン酸化膜熱脱離によるボイド内リング構造形成の雰囲気依存性
遠田 義晴，長内 翔大，小笠原 崇仁
第６３回応用物理学会春季学術講演会予稿集 2016.3
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Ring structures formed inside voids in SiO2 layer on Si(100) during thermal decomposition（共著）
Yoshiharu Enta, Shodai Osanai, Taichi Yoshida
Japanese Journal of Applied Physics 55 028004-1 - 028004-3 2016.2
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Angle-Resolved and Resonant Photoemission Study of the Valence Bands of α-La(0001) on W(110)（共著）
Yoshiharu Enta, Osamu Morimoto, Hiroo Kato, and Yasuo Sakisaka
World Journal of Condensed Matter Physics 6 17 - 26 2016.2
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Interfacial Structure of Oxynitride Layer on Si(100) with Plasma-Excited N2O
Y. Enta
International Journal of Applied and Natural Sciences 5 ( 1 ) 63 - 68 2016.1
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シリコン酸化膜のボイド状熱脱離とボイド内微細構造
遠田義晴，永井孝幸，吉田太祐，長内翔大，小笠原崇仁
応用物理学会東北支部 第７０回学術講演会要旨 2015.12
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シリコン酸窒化膜内殻準位異常シフトの解析
高見貴弘，和田誠，遠田義晴
応用物理学会東北支部 第７０回学術講演会要旨 2015.12
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PLD法による AlN/Si(110)上への SiC薄膜 の作製および グラフェンの形成
成田舜基， 目黒 一煕，高見貴弘，遠田義晴，中澤日出樹
応用物理学会東北支部 第７０回学術講演会要旨 2015.12
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Dry-Oxidation Rate of Si(100) Surface up to 2 nm-Oxide Thickness（共著）
Y. Enta, M. Arita, M. Wada
International Journal of Applied and Natural Sciences 4 ( 6 ) 51 - 56 2015.10
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気相熱励起N2Oガスを用いたシリコン熱酸窒化反応
高見 貴弘，遠田 義晴
第７６回応用物理学会学術講演会予稿集 2015.9
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Effect of surface adsorbates on chemical shifts of core-level spectra for silicon oxinitride films
Takahiro TAKAMI, Makoto WADA, Yoshiharu ENTA
IEICE Technical Report 115 ( 179 ) 71 - 74 2015.8
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Effects of substrate bias on properties of nitrogen-doped DLC films prepared by radio frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition
Masato TSUCHIYA, Kazuki MURAKAMI, Tatsuhito SATO, Tahahiro TAKAMI, Yoshiharu ENTA, Hideki NAKAZAWA
IEICE Technical Report 115 ( 179 ) 7 - 10 2015.8
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Electrical and optical properties of nitrogen-doped DLC films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition
M. Tsuchiya, K. Magara, K. Tokuda, Y. Enta, Y. Suzuki, T. Takami, H. Ogasawara, H. Nakazawa
The 9th International Conference on New Diamonds and Nano Carbons 2015 2015.5
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高周波プラズマ化学気相成長法による窒素添加DLC薄膜の電気的特性および光学的特性
土屋政人，真柄晃平，徳田健吾，遠田義晴，高見貴弘，中澤日出樹
応用物理学会第６９回東北支部学術講演会予稿集 2014.12
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シリコン酸化膜熱脱離時に形成される微細構造形成機構
長内 翔大,吉田 太祐,遠田 義晴
第７５回応用物理学会学術講演会予稿集 2014.9