Papers - ENTA YOSHIHARU
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Effects of nitrogen doping on the chemical bonding states and properties of silicon-doped diamond-like carbon films
Kazuki Nakamura, Haruka Ohashi, Tai Yokoyama, Kei-ichiro Tajima, Norifumi Endo, Maki Suemitsu, Yoshiharu Enta, Yasuyuki Kobayashi, Hideki Nakazawa
The 8th International Symposium on Surface Science 2017.10
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Effects of Organic-Compounds Doses on Silicon Fine Structures Formed in Voids on Silicon Dioxide Layers by Annealing in Vacuum
Yoshiharu Enta, Takayuki Nagai, Kano Ogawa, Taichi Yoshida, Shodai Osanai, Takahito Ogasawara, Yoshisumi Tsuchimoto, Chikashi Maita, Natsuki Ujiie, Hideki Nakazawa
The 8th International Symposium on Surface Science 2017.10
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Electron Beam Irradiation Effects on SiO2 Layer on Silicon Substrate at Room Temperature
Yusuke Masuda, Yoshiharu Enta
The 8th International Symposium on Surface Science 2017.10
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水素原子を用いた3C-SiC/Si基板上へのグラフェンの低温形成
荒畑宏樹，成田克，遠藤則史，末光眞希，遠田義晴，中澤日出樹
第７８回応用物理学会秋季学術講演会予稿集 2017.9
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シリコン基板上シリコン酸化膜の電子線照射による還元反応
増田悠右，遠田義晴
第７８回応用物理学会秋季学術講演会予稿集 2017.9
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Effects of source gases on the properties of silicon/nitrogen-incorporated diamond-like carbon films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition
Hideki Nakazawa, Kohei Magara, Takahiro Takami, Haruka Ogasawara, Yoshiharu Enta, Yushi Suzuki
Thin Solid Films 636 177 - 182 2017.8
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真空蒸着法によるBi 媒介Ge ナノドットの形成過程評価
滝田健介，対馬和都，遠田義晴，俵毅彦，舘野功太，章国強，後藤秀樹，岡本浩
平成29年度電気関係学会東北支部連合大会予稿集 2017.8
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真空蒸着と低温アニールによるBi媒介Geナノドット形成-２
対馬 和都, 滝田 健介, 中澤 日出樹, 遠田 義晴, 俵 毅彦, 舘野 功太, 章 国強, 後藤 秀樹, 岡本 浩
第６４回応用物理学会春季学術講演会予稿集 2017.3
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真空蒸着と低温アニールによるBi媒介Geナノドット形成-１
滝田 健介, 対馬 和都, 遠田 義晴, 俵 毅彦, 舘野 功太, 章 国強, 後藤 秀樹, 池田 高之, 水野 誠一郎, 岡本 浩
第６４回応用物理学会春季学術講演会予稿集 2017.3
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Formation of graphene/SiC/AlN multilayers synthesized by pulsed laser deposition on Si(110) substrates
S. Narita, K. Meguro, T. Takami, Y. Enta, H. Nakazawa
Journal of Crystal Growth 460 27 - 36 2017.2
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Activation energy of thermal desorption of silicon oxide layers on silicon substrates
Yoshiharu Enta, Shodai Osanai, Takahito Ogasawara
SURFACE SCIENCE 656 96 - 100 2017.2
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Activation Energy of Thermal Desorption of Silicon Oxide Layers on Silicon Substrates
Yoshiharu Enta, Shodai Osanai, Takahito Ogasawara
Surface Science 656 96 - 100 2017.1
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希釈ガスとしてH2を用いたプラズマCVD法によるDLC膜特性へのSiおよびN添加効果
中村 和樹，大橋 遼, 横山 大, 田島 圭一郎, 遠藤 則史, 末光 眞希, 遠田 義晴, 中澤 日出樹
応用物理学会第７１回東北支部学術講演会予稿集 2016.12
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Tribological properties and thermal stability of hydrogenated, silicon/nitrogen-coincorporated diamond-like carbon films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition
Hideki Nakazawa, Saori Okuno, Kohei Magara, Kazuki Nakamura, Soushi Miura, Yoshiharu Enta
Japanese Journal of Applied Physics 55 125501-1 - 125501-9 2016.12
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希釈ガスに水素ガスを用いたプラズマ化学気相成長法によるSi/N共添加ダイヤモンドライクカーボンの膜特性
中村和樹、大橋遼、横山大、田島圭一郎、遠藤則史、末光眞希、遠田義晴、中澤日出樹
2016年真空・表面科学合同講演会 第36回表面科学学術講演会 第57回真空に関する連合講演会予稿集 2016.11
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希釈ガスに水素ガスを用いたプラズマCVD法によるN添加およびSi/N共添加DLC膜の特性比較
中村和樹、大橋遼、横山大、田島圭一郎、遠藤則史、末光眞希、遠田義晴、中澤日出樹
第30回ダイヤモンドシンポジウム予稿集 2016.11
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Silicon Fine Structures Formed by Thermal Desorption of Silicon Dioxide Layer in Vacuum
Yoshiharu Enta, Takayuki Nagai, Kano Ogawa, Taichi Yoshida, Shodai Osanai, Takahito Ogasawara, Yoshisumi Tsuchimoto, Chikashi Maita, Natsuki Ujiie, Hideki Nakazawa
Asia NANO 2016: Asian Conference on Nanoscience and Nanotechnology 2016.11
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希釈ガスとしてH2を用いたプラズマCVD法によるDLC膜特性へのSiおよびN添加効果
中村 和樹，大橋 遼, 横山 大, 田島 圭一郎, 遠藤 則史, 末光 眞希, 遠田 義晴, 中澤 日出樹
第７７回応用物理学会学術講演会予稿集 2016.9
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Effects of Temperature and Pressure in Oxynitridation Kinetics on Si(100) with N2O Gas
Yoshiharu Enta, Makoto Wada, Mariko Arita, and Takahiro Takami
7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces ISCSI-VII 2016.6
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Structural and electrical properties and current–voltage characteristics of nitrogen-doped diamond-like carbon films on Si substrates by plasma-enhanced chemical vapor deposition
Masato Tsuchiya, Kazuki Murakami, Kohei Magara, Kazuki Nakamura, Haruka Ohashi, Kengo Tokuda, Takahiro Takami, Haruka Ogasawara, Yoshiharu Enta, Yushi Suzuki, Satoshi Ando, and Hideki Nakazawa
Japanese Journal of Applied Physics 55 065502-1 - 065502-6 2016.5